Microchip Technology

Diskrete MOSFETs der Serie mSiC™

Hochspannungsfähige Siliziumkarbid-MOSFETs von Microchip eignen sich ideal für robuste und effiziente Energiewandlung

Abbildung: Diskrete MOSFETs der Serie mSiC™ von MicrochipDie MOSFET-Serie mSiC™ von Microchip wurde für Mittel- und Hochspannungssysteme entwickelt, die einen hohen Wirkungsgrad, eine kompakte Größe und eine hohe Zuverlässigkeit erfordern. Diese Bauelemente nutzen die Siliziumkarbid-Technologie, um Leitungs- und Schaltverluste zu minimieren, was höhere Schaltfrequenzen ermöglicht und das Wärmemanagement im Vergleich zu Silizium-MOSFETs und IGBTs erleichtert.

Die Serie deckt einen Spannungsbereich von 700 V bis 3.300 V ab und unterstützt Sperrschichttemperaturen von bis zu +175 °C. Alle Familien bieten die gleichen Hauptmerkmale wie Avalanche-Robustheit, Kurzschlussfestigkeit und eine stabile Leistung der Substratdiode. Die verschiedenen Familien (MA, MB und MC) bieten jedoch unterschiedliche Optimierungen für verschiedene Designprioritäten, von kostensensitiven Industriesystemen bis hin zu Hochleistungsanwendungen im Automobilbereich und im Bereich der erneuerbaren Energien.

Merkmale der Serie MA
  • Auf Ultrahochspannungsanwendungen (bis zu 3.300 V) ausgelegt
  • Für minimalen RDS(ON) bei hohen Gate-Treiberspannungen (18 V bis 20 V) optimiert
  • Ideal für Netzinfrastrukturen, Traktionsantriebe sowie Luft- und Raumfahrtsysteme
Merkmale der Serie MB
  • Breiter Industrie- und Automobilspannungsbereich (typischerweise 1.200 V bis 1.700 V)
  • Empfohlene Gate-Treiberspannung: +18 V (ein) und -5 V (aus)
  • Ausgewogenes Verhältnis von Effizienz und Kosten für Motorantriebe, Elektrofahrzeug-Ladegeräte und Wechselrichter für erneuerbare Energien
Merkmale der Serie MC
  • Ähnlicher Spannungsbereich wie MB, jedoch mit integriertem Gate-Widerstand für verbesserte Schaltstabilität
  • Reduzierte Anzahl externer Komponenten und vereinfachtes Layout für Hochfrequenzdesigns
  • Bevorzugte Wahl für kompakte Wandler und Systeme, die geringe elektromagnetische Störungen erfordern
Merkmale/Funktionen
  • Niedriger RDS(ON) über gesamten Temperaturbereich für hohe Effizienz
  • Avalanche-Robustheit und Kurzschlussfähigkeit für Fehlertoleranz
  • Schnelles Schalten mit geringer Gate-Ladung für Hochfrequenzbetrieb
  • Spannungsbereich: 700 V bis 3.300 V
  • Hochtemperaturbetrieb bis +175 °C
Anwendungen/Zielmärkte
  • Industrielle Motorantriebe und Leistungswandlungssysteme
  • Wechselrichter für erneuerbare Energien (Solar- und Windkraft)
  • Elektrofahrzeug-Ladegeräte und Hybridantriebsstränge
  • Intelligente Netzübertragungs- und -verteilungsanlagen
  • Hochspannungsstromversorgungen und Schweißsysteme

MA Series MOSFETs

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MB Series MOSFETs

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MC Series MOSFETs

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Veröffentlicht: 2025-12-03

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