Einzelne FETs, MOSFETs

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Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpCharter Engineering Inc.Coherent CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPC
Serie
-*2N7002KAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™BSS
Verpackung
Band & Box (TB)BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeStreifenTablettTasche
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
FET-Typ
-N-KanalP-Kanal
Technologie
-GaNFET (Galliumnitrid)GaNFET (Kaskoden-Galliumnitrid-FET)MOSFET (Metalloxid)SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
-30 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V0V, 10V0V, 18V0V, 6V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,29mOhm bei 50A, 10V0,3mOhm bei 200A, 10V0,35mOhm bei 50A, 10V0.39mOhm @ 100A, 10V0,4 mOhm bei 50A, 10V0,4mOhm bei 150A, 10V0,4mOhm bei 30A, 10V0,42mOhm bei 50A, 10V0,44mOhm bei 88A, 10V0,45mOhm bei 30A, 10V0,45mOhm bei 30A, 7V0,45mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
400mV bei 1mA (Min)400mV bei 250µA400mV bei 250µA (Min)450mV bei 100µA (Min)450mV bei 1mA (Min)450mV bei 250µA (Min)450mV bei 2mA (Min)500mV bei 250µA (Min)570mV bei 1mA (typisch)600mV bei 1,2mA (Min)600mV bei 1mA (Min)600mV bei 1mA (typisch)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.0007 nC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
-20V-12V-10V-10V, +20V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2.195 pF @ 15 V3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 3 V
FET-Merkmal
-Mit VerarmungsschichtSchottky-Diode (isoliert)Schottky-Diode (Körper)StrommessungTemperaturmessdiode
Verlustleistung (max.)
400µW400µW (Ta)100mW100mW (Ta)120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW150mW (Ta)150mW (Tc)155mW (Ta)
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-65°C bis 175°C (TJ)-60°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 100°C-55°C bis 110°C (TA)-55°C bis 125°C-55°C bis 125°C (TA)-55°C bis 125°C (TJ)-55°C bis 135°C (TJ)-55°C bis 150°C-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-AutomobiltechnikMilitärtechnik
Qualifizierung
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Gehäuse / Hülle
2-DFN mit freiliegendem Pad3-DFN mit freiliegendem Pad3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, flache Anschlüsse3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-PowerXFDFN3-SIP3-SMD, flache Anschlüsse3-SMD, Nicht standardmäßiges
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
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Verfügbare Menge
Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
28 029
Vorrätig
1 : € 0,14000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,02456
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4,5Ohm bei 100mA, 10V
2,1V bei 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
129 658
Vorrätig
1 : € 0,16000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,02780
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm bei 500mA, 10V
2,5V bei 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
501 766
Vorrätig
1 : € 0,18000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03056
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
190mA (Ta)
5V, 10V
4,5Ohm bei 100mA, 10V
2,1V bei 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
409 336
Vorrätig
1 : € 0,18000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03128
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm bei 50mA, 5V
2,5V bei 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
90 014
Vorrätig
24 000
Fabrik
1 : € 0,19000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03256
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5Ohm bei 220mA, 10V
1,5V bei 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
316 723
Vorrätig
18 486 000
Fabrik
1 : € 0,20000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03359
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm bei 500mA, 10V
2,5V bei 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
255 408
Vorrätig
1 : € 0,20000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03359
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6Ohm bei 500mA, 10V
2,3V bei 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1 446 875
Vorrätig
1 : € 0,21000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,02197
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2Ohm bei 100mA, 2,5V
1V bei 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
668 307
Vorrätig
1 : € 0,21000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03524
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
180mA (Ta)
10V
7,5Ohm bei 100mA, 10V
2,1V bei 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
451 183
Vorrätig
1 : € 0,21000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03647
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5Ohm bei 240mA, 10V
2,5V bei 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
100 889
Vorrätig
1 : € 0,21000
Gurtabschnitt (CT)
10 000 : € 0,02769
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5Ohm bei 100mA, 10V
2,1V bei 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
CST3
SC-101, SOT-883
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 183 817
Vorrätig
1 : € 0,22000
Gurtabschnitt (CT)
10 000 : € 0,02123
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm bei 500mA, 10V
2,4V bei 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
460 968
Vorrätig
15 000
Fabrik
1 : € 0,22000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03688
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
350mA (Ta)
2,5V, 10V
2,8Ohm bei 250mA, 10V
1,5V bei 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
455 681
Vorrätig
1 : € 0,22000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03789
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm bei 500mA, 10V
2,4V bei 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
435 958
Vorrätig
1 : € 0,22000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03792
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm bei 100mA, 5V
2V bei 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
91 292
Vorrätig
1 : € 0,22000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03688
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5Ohm bei 240mA, 10V
2,6V bei 250µA
0.81 nC @ 5 V
±30V
40 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
4 630 544
Vorrätig
1 : € 0,23000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,04185
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
800mA (Ta)
1,5V, 4,5V
235mOhm bei 800mA, 4,5V
1V bei 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SSM
SC-75, SOT-416
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
848 845
Vorrätig
1 : € 0,23000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03872
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm bei 300mA, 10V
1,5V bei 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C bis 150°C (TA)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
AO3416
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
762 103
Vorrätig
1 : € 0,23000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,06924
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
6,5 A (Ta)
1,8V, 4,5V
22mOhm bei 6,5A, 4,5V
1V bei 250µA
16 nC @ 4.5 V
±8V
1160 pF @ 10 V
-
1,4W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 Variante
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
709 679
Vorrätig
1 : € 0,23000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03915
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2,2Ohm bei 200mA, 4,5V
800mV bei 1mA
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±8V
26 pF @ 10 V
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150mW (Ta)
150°C (TJ)
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Oberflächenmontage
UMT3F
SC-85
TO-236AB
BSH105,215
MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
Nexperia USA Inc.
428 957
Vorrätig
1 : € 0,23000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,06924
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
1,05 A (Ta)
1,8V, 4,5V
200mOhm bei 600mA, 4,5V
570mV bei 1mA (typisch)
3.9 nC @ 4.5 V
±8V
152 pF @ 16 V
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417mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
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Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
68 598
Vorrätig
1 : € 0,23000
Gurtabschnitt (CT)
10 000 : € 0,02958
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
350mA (Ta)
5V, 10V
2,8Ohm bei 200mA, 10V
2,1V bei 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
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350mW (Ta), 3,1 W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
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Oberflächenmontage
SOT-883
SC-101, SOT-883
SOT-23-3
DMG6968U-7
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Diodes Incorporated
559 062
Vorrätig
1 : € 0,24000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,06453
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
6,5 A (Ta)
1,8V, 4,5V
25mOhm bei 6,5A, 4,5V
900mV bei 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±12V
151 pF @ 10 V
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1,3W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
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Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
817 870
Vorrätig
1 : € 0,25000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,04181
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
350mA (Ta)
10V
1,6Ohm bei 500mA, 10V
2,1V bei 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
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370mW (Ta)
150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN2005K-7
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Diodes Incorporated
710 865
Vorrätig
324 000
Fabrik
1 : € 0,25000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,06453
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
300mA (Ta)
1,8V, 2,7V
1,7Ohm bei 200mA, 2,7V
900mV bei 100µA
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±10V
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350mW (Ta)
-65°C bis 150°C (TJ)
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Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Angezeigt werden
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Einzelne FETs, MOSFETs


Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.