FET- und MOSFET-Arrays

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	Technologie	Konfiguration	FET-Merkmal	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	Leistung - Max.	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten
SSM6N7002KFU,LF MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	24 483 Vorrätig	1 : € 0,19000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,03675 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	-	60V	300mA	1,5Ohm bei 100mA, 10V	2,1V bei 250µA	0,6nC bei 4,5V	40pF bei 10V	285mW	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
NTJD5121NT1G MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 onsemi	64 649 Vorrätig	1 : € 0,26000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,05335 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	60V	295mA	1,6Ohm bei 500mA, 10V	2,5V bei 250µA	0,9nC bei 4,5V	26pF bei 20V	250mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
2N7002DW-7-F MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Diodes Incorporated	93 476 Vorrätig	1 : € 0,28000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,05138 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	-	60V	230mA	7,5Ohm bei 50mA, 5V	2V bei 250µA	-	50pF bei 25V	310mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	131 516 Vorrätig	1 : € 0,29000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,06014 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	OptiMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	60V	300mA	3Ohm bei 500mA, 10V	2,5V bei 250µA	0,6nC bei 10V	20pF bei 25V	500mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
SSM6L56FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	72 632 Vorrätig	1 : € 0,29000 Gurtabschnitt (CT) 4 000 : € 0,04704 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gatter, 1,5V	20V	800mA (Ta)	235mOhm bei 800mA, 4,5V, 390mOhm bei 800mA, 4,5V	1V bei 1mA	1nC bei 10V	55pF bei 10V, 100pF bei 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	ES6
SSM6N37FU,LF MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	26 427 Vorrätig	1 : € 0,30000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,06225 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gatter, 1,5V	20V	250mA (Ta)	2,2Ohm bei 100mA, 4,5V	1V bei 1mA	-	12pF bei 10V	300mW	150°C	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
DMG1016UDW-7 MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Diodes Incorporated	25 216 Vorrätig	1 : € 0,34000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,06791 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gate	20V	1,07A, 845mA	450mOhm bei 600mA, 4,5V	1V bei 250µA	0,74nC bei 4,5V	60,67pF bei 10V	330mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
SSM6L36FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	4 999 Vorrätig	1 : € 0,34000 Gurtabschnitt (CT) 4 000 : € 0,06087 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gate	20V	500mA, 330mA	630mOhm bei 200mA, 5V	1V bei 1mA	1,23nC bei 4V	46pF bei 10V	150mW	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	ES6
BSS138BKS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	328 053 Vorrätig	1 : € 0,36000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,06512 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	60V	320mA	1,6Ohm bei 320mA, 10V	1,6V bei 250µA	0,7nC bei 4,5V	56pF bei 10V	445mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
2N7002DW MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 onsemi	58 713 Vorrätig	1 : € 0,36000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,07903 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	60V	115mA	7,5Ohm bei 50mA, 5V	2V bei 250µA	-	50pF bei 25V	200mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88 (SC-70-6)
BSD840NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Infineon Technologies	48 644 Vorrätig	1 : € 0,36000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,07447 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	OptiMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	20V	880mA	400mOhm bei 880mA, 2,5V	750mV bei 1,6µA	0,26nC bei 2,5V	78pF bei 10V	500mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	675 983 Vorrätig	1 : € 0,37000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,07014 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gatter, 1,2V	50V	200mA	2,2Ohm bei 200mA, 4,5V	1V bei 1mA	-	25pF bei 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMG6602SVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Diodes Incorporated	68 059 Vorrätig	1 : € 0,38000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,06694 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gatter, 4,5V	30V	3,4 A, 2,8 A	60mOhm bei 3,1A, 10V	2,3V bei 250µA	13nC bei 10V	400pF bei 15V	840mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6	TSOT-26
DMG6601LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26 Diodes Incorporated	31 955 Vorrätig	1 : € 0,38000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,06596 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gate	30V	3,8 A, 2,5 A	55mOhm bei 3,4A, 10V	1,5V bei 250µA	12,3nC bei 10V	422pF bei 15V	850mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6	TSOT-26
SI1034CX-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89 Vishay Siliconix	37 055 Vorrätig	1 : € 0,39000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,08844 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	20V	610mA (Ta)	396mOhm bei 500mA, 4,5V	1V bei 250µA	2nC bei 8V	43pF bei 10V	220mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	SC-89 (SOT-563F)
SIL2308-TP MOSFET N/P-CH 20V 5A/4A SOT23-6L MCC (Micro Commercial Components)	63 442 Vorrätig	1 : € 0,41000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,07554 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	-	20V	5A, 4A	38mOhm bei 4,5A, 4,5V, 90mOhm bei 500mA, 4,5V	1V bei 250µA	11nC bei 4,5V, 12nC bei 2,5V	800pF, 405pF bei 8V, 10V	-	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-6	SOT-23-6L
NTJD4401NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 onsemi	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	1 : € 0,42000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,09296 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	20V	630mA	375mOhm bei 630mA, 4,5V	1,5V bei 250µA	3nC bei 4,5V	46pF bei 20V	270mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
MCM3400A-TP MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN MCC (Micro Commercial Components)	57 189 Vorrätig	1 : € 0,43000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,09220 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	-	30V	5A	32mOhm bei 5,8A, 10V	1,5V bei 250µA	-	1155pF bei 15V	1,4W	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-VDFN mit freiliegendem Pad	DFN2020-6L
SSM6L09FUTE85LF MOSFET N/P-CH 30V 0.4A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	53 989 Vorrätig	1 : € 0,44000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,07954 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gate	30V	400mA, 200mA	700mOhm bei 200mA, 10V	1,8V bei 100µA	-	20pF bei 5V	300mW	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
PMDT290UNE,115 MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 Nexperia USA Inc.	67 792 Vorrätig	1 : € 0,45000 Gurtabschnitt (CT) 4 000 : € 0,07925 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	20V	800mA	380mOhm bei 500mA, 4,5V	950mV bei 250µA	0,68nC bei 4,5V	83pF bei 10V	500mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	SOT-666
SI3932DV-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6TSOP Vishay Siliconix	30 056 Vorrätig	1 : € 0,46000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,18535 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	30V	3,7A	58mOhm bei 3,4A, 10V	2,2V bei 250µA	6nC bei 10V	235pF bei 15V	1,4W	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6	6-TSOP
NTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	29 507 Vorrätig	1 : € 0,46000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,09116 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	-	30V	250mA	1,5Ohm bei 10mA, 4V	1,5V bei 100µA	1,3nC bei 5V	33pF bei 5V	272mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
DMG1029SV-7 MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563 Diodes Incorporated	385 353 Vorrätig 1 884 000 Fabrik	1 : € 0,49000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,09116 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gate	60V	500mA, 360mA	1,7Ohm bei 500mA, 10V	2,5V bei 250µA	0,3nC bei 4,5V	30pF bei 25V, 25pF bei 25V	450mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	SOT-563
DMC2990UDJ-7 MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963 Diodes Incorporated	119 285 Vorrätig 1 170 000 Fabrik	1 : € 0,50000 Gurtabschnitt (CT) 10 000 : € 0,08397 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gate	20V	450mA, 310mA	990mOhm bei 100mA, 4,5V	1V bei 250µA	0,5nC bei 4,5V	27,6pF bei 15V	350mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-963	SOT-963
SI1539CDL-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6 Vishay Siliconix	28 097 Vorrätig	1 : € 0,51000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,09503 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gate	30V	700mA, 500mA	388mOhm bei 600mA, 10V	2,5V bei 250µA	1,5nC bei 10V	28pF bei 15V	340mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-70-6

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Feldeffekttransistoren (FETs) sind elektronische Komponenten, bei denen die Steuerung des Stromflusses über ein elektrisches Feld erfolgt. Durch das Anlegen einer Spannung an die Gate-Klemme wird die Leitfähigkeit zwischen den Drain- und Source-Klemmen umgeschaltet. FETs werden auch als unipolare Transistoren bezeichnet, da sie nach dem Einzel-Träger-Prinzip arbeiten. Das bedeutet, dass FETs entweder Elektronen oder Löcher als Ladungsträger nutzen, nicht jedoch beides. Feldeffekttransistoren weisen im Allgemeinen eine sehr hohe Eingangsimpedanz bei niedrigen Frequenzen auf.

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