FET- und MOSFET-Arrays

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	Technologie	Konfiguration	FET-Merkmal	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	Leistung - Max.	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten
SSM6N7002KFU,LF MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	125 961 Vorrätig	1 : € 0,19000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,03934 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	-	60V	300mA	1,5Ohm bei 100mA, 10V	2,1V bei 250µA	0,6nC bei 4,5V	40pF bei 10V	285mW	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
NTJD5121NT1G MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 onsemi	6 296 Vorrätig	1 : € 0,27000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,05549 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	60V	295mA	1,6Ohm bei 500mA, 10V	2,5V bei 250µA	0,9nC bei 4,5V	26pF bei 20V	250mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
2N7002DW-7-F MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Diodes Incorporated	160 662 Vorrätig	1 : € 0,29000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,06096 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	-	60V	230mA	7,5Ohm bei 50mA, 5V	2V bei 250µA	-	50pF bei 25V	310mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	96 619 Vorrätig	1 : € 0,30000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,06110 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	OptiMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	60V	300mA	3Ohm bei 500mA, 10V	2,5V bei 250µA	0,6nC bei 10V	20pF bei 25V	500mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
SSM6L56FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	58 542 Vorrätig	1 : € 0,30000 Gurtabschnitt (CT) 4 000 : € 0,06051 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gatter, 1,5V	20V	800mA (Ta)	235mOhm bei 800mA, 4,5V, 390mOhm bei 800mA, 4,5V	1V bei 1mA	1nC bei 10V	55pF bei 10V, 100pF bei 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	ES6
SSM6N37FU,LF MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	147 393 Vorrätig	1 : € 0,31000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,06475 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gatter, 1,5V	20V	250mA (Ta)	2,2Ohm bei 100mA, 4,5V	1V bei 1mA	-	12pF bei 10V	300mW	150°C	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
2N7002BKS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	210 611 Vorrätig	1 : € 0,35000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,07450 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	60V	300mA (Ta)	1,6Ohm bei 500mA, 10V	2,1V bei 250µA	0,6nC bei 4,5V	50pF bei 10V	295mW	150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
DMG1016UDW-7 MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Diodes Incorporated	25 940 Vorrätig 12 000 Fabrik	1 : € 0,35000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,07659 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gate	20V	1,07A, 845mA	450mOhm bei 600mA, 4,5V	1V bei 250µA	0,74nC bei 4,5V	60,67pF bei 10V	330mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
BSD840NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Infineon Technologies	28 246 Vorrätig	1 : € 0,36000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,07746 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	OptiMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	20V	880mA	400mOhm bei 880mA, 2,5V	750mV bei 1,6µA	0,26nC bei 2,5V	78pF bei 10V	500mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	732 038 Vorrätig	1 : € 0,38000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,06674 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gatter, 1,2V	50V	200mA	2,2Ohm bei 200mA, 4,5V	1V bei 1mA	-	25pF bei 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMG6602SVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Diodes Incorporated	95 552 Vorrätig 1 557 000 Fabrik	1 : € 0,38000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,08321 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gatter, 4,5V	30V	3,4 A, 2,8 A	60mOhm bei 3,1A, 10V	2,3V bei 250µA	13nC bei 10V	400pF bei 15V	840mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6	TSOT-26
UM6K34NTCN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	64 240 Vorrätig	1 : € 0,39000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,08490 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gatter, 0,9V	50V	200mA	2,2Ohm bei 200mA, 4,5V	800mV bei 1mA	-	26pF bei 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMG6601LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26 Diodes Incorporated	63 232 Vorrätig 744 000 Fabrik	1 : € 0,39000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,08421 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gate	30V	3,8 A, 2,5 A	55mOhm bei 3,4A, 10V	1,5V bei 250µA	12,3nC bei 10V	422pF bei 15V	850mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6	TSOT-26
EM6K34T2CR MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Rohm Semiconductor	3 491 Vorrätig	1 : € 0,39000 Gurtabschnitt (CT) 8 000 : € 0,07389 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gatter, 0,9V	50V	200mA	2,2Ohm bei 200mA, 4,5V	800mV bei 1mA	-	26pF bei 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	EMT6
NTZD3154NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	407 786 Vorrätig	1 : € 0,44000 Gurtabschnitt (CT) 4 000 : € 0,09237 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	-	20V	540mA	550mOhm bei 540mA, 4,5V	1V bei 250µA	2,5nC bei 4,5V	150pF bei 16V	250mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	SOT-563
2N7002DW MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 onsemi	78 028 Vorrätig	1 : € 0,44000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,09685 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	60V	115mA	7,5Ohm bei 50mA, 5V	2V bei 250µA	-	50pF bei 25V	200mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88 (SC-70-6)
NTJD4401NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 onsemi	36 821 Vorrätig	1 : € 0,44000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,09669 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	20V	630mA	375mOhm bei 630mA, 4,5V	1,5V bei 250µA	3nC bei 4,5V	46pF bei 20V	270mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
SSM6L09FUTE85LF MOSFET N/P-CH 30V 0.4A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	27 660 Vorrätig	1 : € 0,44000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,09781 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gate	30V	400mA, 200mA	700mOhm bei 200mA, 10V	1,8V bei 100µA	-	20pF bei 5V	300mW	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
DMN2400UV-7 MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 Diodes Incorporated	27 306 Vorrätig 37 407 000 Fabrik	1 : € 0,45000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,09892 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	20V	1,33A	480mOhm bei 200mA, 5V	900mV bei 250µA	0,5nC bei 4,5V	36pF bei 16V	530mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	SOT-563
NTZD3152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563 onsemi	41 620 Vorrätig	1 : € 0,46000 Gurtabschnitt (CT) 4 000 : € 0,09748 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 P-Kanal (zweifach)	-	20V	430mA	900mOhm bei 430mA, 4,5V	1V bei 250µA	2,5nC bei 4,5V	175pF bei 16V	250mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	SOT-563
PMDT290UNE,115 MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 Nexperia USA Inc.	74 914 Vorrätig	1 : € 0,47000 Gurtabschnitt (CT) 4 000 : € 0,09857 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	20V	800mA	380mOhm bei 500mA, 4,5V	950mV bei 250µA	0,68nC bei 4,5V	83pF bei 10V	500mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	SOT-666
NTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	46 624 Vorrätig	1 : € 0,48000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,10651 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	-	30V	250mA	1,5Ohm bei 10mA, 4V	1,5V bei 100µA	1,3nC bei 5V	33pF bei 5V	272mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
SI1034CX-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89 Vishay Siliconix	35 468 Vorrätig	1 : € 0,48000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,10510 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	20V	610mA (Ta)	396mOhm bei 500mA, 4,5V	1V bei 250µA	2nC bei 8V	43pF bei 10V	220mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	SC-89 (SOT-563F)
DMC3071LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26 Diodes Incorporated	14 601 Vorrätig	1 : € 0,49000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,10929 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal komplementär	-	30V	4,6A (Ta), 3,3A (Ta)	50mOhm bei 3,5A, 10V, 95mOhm bei 3,8A, 10V	2,5V bei 250µA	4,5nC bei 10V, 6,5nC bei 10V	190pF bei 15V, 254pF bei 15V	700mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6	TSOT-26
NTZD3155CT1G MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	56 155 Vorrätig	1 : € 0,51000 Gurtabschnitt (CT) 4 000 : € 0,11012 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gate	20V	540mA, 430mA	550mOhm bei 540mA, 4,5V	1V bei 250µA	2,5nC bei 4,5V	150pF bei 16V	250mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	SOT-563

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Feldeffekttransistoren (FETs) sind elektronische Komponenten, bei denen die Steuerung des Stromflusses über ein elektrisches Feld erfolgt. Durch das Anlegen einer Spannung an die Gate-Klemme wird die Leitfähigkeit zwischen den Drain- und Source-Klemmen umgeschaltet. FETs werden auch als unipolare Transistoren bezeichnet, da sie nach dem Einzel-Träger-Prinzip arbeiten. Das bedeutet, dass FETs entweder Elektronen oder Löcher als Ladungsträger nutzen, nicht jedoch beides. Feldeffekttransistoren weisen im Allgemeinen eine sehr hohe Eingangsimpedanz bei niedrigen Frequenzen auf.

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