TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

MSC080SMA120SDT/R

DigiKey-Teilenr.
150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Hersteller
Microchip Technology
Hersteller-Teilenummer
MSC080SMA120SDT/R
Beschreibung
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
Standardlieferzeit des Herstellers
4 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 35 A (Tc) 182W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Microchip Technology
Serie
MSiC™ MA
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
35 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
100mOhm bei 15A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,8V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
64 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+23V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
838 pF @ 1000 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
182W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263-7
Gehäuse / Hülle
TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
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