Name: GAN111-650WSBQ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN111-650WSBQ-ND
Price: 12.096 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 21 A (Ta) 107W (Ta) Durchkontaktierung TO-247-3L

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GAN111-650WSBQ
DigiKey-Teilenr.	1727-GAN111-650WSBQ-ND
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	GAN111-650WSBQ
Beschreibung	GAN111-650WSB/SOT429/TO-247
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 21 A (Ta) 107W (Ta) Durchkontaktierung TO-247-3L
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,8V bei 1mA
Herst. Nexperia USA Inc.	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 4.9 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 336 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 107W (Ta)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 21 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3L
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 114mOhm bei 14A, 10V

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10	€ 6,97900	€ 69,79
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