Name: TP65H070G4PS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H070G4PS-ND
Price: 8.184 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 29 A (Tc) 96W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

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TP65H070G4PS
DigiKey-Teilenr.	1707-TP65H070G4PS-ND
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	TP65H070G4PS
Beschreibung	GANFET N-CH 650V 29A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 29 A (Tc) 96W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 85mOhm bei 18A, 10V
Herst. Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (max.) bei Id 4,7V bei 700µA
Serie SuperGaN®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 9 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 638 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 96W (Tc)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 29 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-220-3

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50	€ 3,68260	€ 184,13
100	€ 3,37950	€ 337,95
500	€ 2,84918	€ 1.424,59
1 000	€ 2,67894	€ 2.678,94
2 000	€ 2,67719	€ 5.354,38

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