Name: TP65H015G5WS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H015G5WS-ND
Price: 24.084 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 93 A (Tc) 266W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3

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TP65H015G5WS
DigiKey-Teilenr.	1707-TP65H015G5WS-ND
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	TP65H015G5WS
Beschreibung	650 V 95 A GAN FET
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 93 A (Tc) 266W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Category Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 18mOhm bei 60A, 10V
Herst. Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (max.) bei Id 4,8V bei 2mA
Serie SuperGaN™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 100 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5218 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 266W (Tc)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 93 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-247-3

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30	€ 12,72233	€ 381,67
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