Name: TP65H030G4PRS-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H030G4PRS-TR-ND
Price: 10.86 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

N-Kanal 650 V 55,7A (Tc) 192W (Tc) Oberflächenmontage TOLT

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TP65H030G4PRS-TR
DigiKey-Teilenr.	1707-TP65H030G4PRS-TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1707-TP65H030G4PRS-TRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1707-TP65H030G4PRS-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	TP65H030G4PRS-TR
Beschreibung	GANFET N-CH 650V 55.7A TOLT
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 55,7A (Tc) 192W (Tc) Oberflächenmontage TOLT
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,8V bei 1mA
Herst. Renesas Electronics Corporation	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 24.5 nC @ 12 V
Serie SuperGaN®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1500 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 192W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Technologie GaNFET (Kaskoden-Galliumnitrid-FET)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TOLT
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 55,7A (Tc)	Gehäuse / Hülle 16-poliges PowerSOP-Modul
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 12V	Basis-Produktnummer TP65H030
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 41mOhm bei 30A, 12V