N-Kanal 650 V 18,9A (Tc) 65,8W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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TP65H100G4PS

DigiKey-Teilenr.
1707-TP65H100G4PS-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TP65H100G4PS
Beschreibung
Hi Volt FETs
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 18,9A (Tc) 65,8W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
110mOhm bei 12A, 10V
Herst.
Vgs(th) (max.) bei Id
4,1V bei 1,8mA
Serie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
14.4 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±20V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
818 pF @ 400 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
65,8W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 1 000
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 5,63000€ 5,63
50€ 2,98220€ 149,11
100€ 2,72680€ 272,68
500€ 2,27932€ 1.139,66
1 000€ 2,13571€ 2.135,71
2 000€ 2,07163€ 4.143,26
Standardverpackung des Herstellers
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