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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 2,49000
Datenblatt

Direkter Ersatz


Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 32
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Datenblatt

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Vorrätig: 17 824
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Vorrätig: 401
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Vorrätig: 130
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STMicroelectronics
Vorrätig: 0
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Datenblatt

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STMicroelectronics
Vorrätig: 1 712
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Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 38
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Datenblatt

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Toshiba Semiconductor and Storage
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Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 0
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Datenblatt

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Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 0
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Datenblatt

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Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 11
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Datenblatt
N-Kanal 500 V 13 A (Tc) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AOTF13N50

DigiKey-Teilenr.
AOTF13N50-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
AOTF13N50
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3F
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 13 A (Tc) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
510mOhm bei 6,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1633 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220F
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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