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N-Kanal 550 V 12 A (Ta) 45W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
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TK12A55D(STA4,Q,M)

DigiKey-Teilenr.
TK12A55D(STA4QM)-ND
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer
TK12A55D(STA4,Q,M)
Beschreibung
MOSFET N-CH 550V 12A TO220SIS
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 550 V 12 A (Ta) 45W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
π-MOSVII
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
550 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
12 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
570mOhm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1550 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220SIS
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
TK12A55
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