Name: TK13A50DA(STA4,Q,M
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK13A50DA(STA4QM-ND
Price: 3.432 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 500 V 12,5 A (Ta) 45W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK13A50DA(STA4,Q,M
DigiKey-Teilenr.	TK13A50DA(STA4QM-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK13A50DA(STA4,Q,M
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220SIS
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 500 V 12,5 A (Ta) 45W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSVII
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12,5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	470mOhm bei 6,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1550 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	45W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220SIS
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	TK13A50

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50	€ 1,43680	€ 71,84
100	€ 1,29870	€ 129,87
500	€ 1,05678	€ 528,39
1 000	€ 0,97903	€ 979,03
2 000	€ 0,94359	€ 1.887,18

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