IGBT-Module

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	IGBT-Typ	Konfiguration	Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (max.)	Leistung - Max.	Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	Eingangskapazität (Cies) bei Vce	Eingang	NTC-Thermistor	Betriebstemperatur	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten
APT60GA60JD60 IGBT MOD 600V 112A 356W ISOTOP Microchip Technology	1 248 Vorrätig	1 : € 28,33000 Stange	POWER MOS 8™	Stange	Aktiv	PT	Einzeln	600 V	112 A	356 W	2,5V bei 15V, 62A	275 µA	8.01 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	ISOTOP®
IXYN100N120C3H1 IGBT MOD 1200V 134A 690W SOT227B IXYS	345 Vorrätig	1 : € 38,31000 Stange	XPT™, GenX3™	Stange	Aktiv	-	Einzeln	1200 V	134 A	690 W	3,5V bei 15V, 100A	50 µA	6 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
IXYN110N120C4H1 1200V, 110A, XPT GEN4 C4 CO-PACK IXYS	226 Vorrätig	1 : € 41,63000 Stange	XPT™	Stange	Aktiv	Schlitz	Einzeln	1200 V	210 A	830 W	2,4V bei 15V, 110A	50 µA	5420 pF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 175°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
VS-GT180DA120U IGBT MOD 1200V 281A 1087W SOT227 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	304 Vorrätig	1 : € 42,94000 Stange	HEXFRED®	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	Einzeln	1200 V	281 A	1087 W	2,05V bei 15V, 100A	100 µA	9.35 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227
IXDN75N120 IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B IXYS	323 Vorrätig	1 : € 44,31000 Stange	-	Stange	Aktiv	NPT	Einzeln	1200 V	150 A	660 W	2,7V bei 15V, 75A	4 mA	5.5 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
IXGN100N170 IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227B IXYS	157 Vorrätig	1 : € 54,28000 Stange	-	Stange	Aktiv	NPT	Einzeln	1700 V	160 A	735 W	3V bei 15V, 100A	50 µA	9.22 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
FZ400R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 400A 2400W Infineon Technologies	84 Vorrätig	1 : € 84,77000 Tablett	-	Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Einzeln	1200 V	400 A	2400 W	2,1V bei 15V, 400A	5 mA	28 nF @ 25 V	Standard	Ja	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FZ600R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 600A 3000W Infineon Technologies	30 Vorrätig	1 : € 103,65000 Tablett	C	Tablett	Aktiv	-	Einzeln	1200 V	600 A	3000 W	2,1V bei 15V, 600A	5 mA	1.7 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 125°C	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FF300R12KT4HOSA1 IGBT MOD 1200V 450A 1600W Infineon Technologies	62 Vorrätig	1 : € 108,21000 Tablett	C	Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Halbbrücke	1200 V	450 A	1600 W	2,15V bei 15V, 300A	5 mA	19 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FF400R06KE3HOSA1 IGBT MOD 600V 500A 1250W Infineon Technologies	27 Vorrätig	1 : € 127,08000 Tablett	C	Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Halbbrücke	600 V	500 A	1250 W	1,9V bei 15V, 400A	5 mA	-	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FZ600R17KE4HOSA1 IGBT MOD 1700V 1200A 3350W Infineon Technologies	47 Vorrätig	1 : € 135,04000 Tablett	C	Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Einzeln	1700 V	1200 A	3350 W	2,3V bei 15V, 600A	1 mA	49 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 150°C	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FZ900R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 900A 4300W Infineon Technologies	82 Vorrätig	1 : € 148,47000 Tablett	C	Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Einzeln	1200 V	900 A	4300 W	2,1V bei 15V, 900A	5 mA	56 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FS1150R08A8P3LBCHPSA1 FS1150R08A8P3LBCHPSA1 Infineon Technologies	90 Vorrätig	1 : € 633,81000 Box	HybridPACK™	Box	Aktiv	-	Dreiphasiger Umrichter	750 V	1.15 kA	1 kW	1,21V bei 15V, 600A	1 mA	60800 pF @ 50 V	Standard	Nein	-40°C bis 175°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	-
IXXN200N60B3 IGBT MOD 600V 280A 940W SOT227B IXYS	129 Vorrätig	1 : € 27,62000 Stange	XPT™, GenX3™	Stange	Aktiv	PT	Einzeln	600 V	280 A	940 W	1,7V bei 15V, 100A	50 µA	9.97 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 175°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
IXXN110N65B4H1 IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B IXYS	235 Vorrätig	1 : € 28,12000 Stange	XPT™, GenX4™	Stange	Aktiv	PT	Einzeln	650 V	215 A	750 W	2,1V bei 15V, 110A	50 µA	3.65 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 175°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
APT75GN120JDQ3 IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP Microchip Technology	116 Vorrätig	1 : € 34,42000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	Einzeln	1200 V	124 A	379 W	2,1V bei 15V, 75A	200 µA	4.8 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	ISOTOP	ISOTOP®
IXYN120N120C3 IGBT MOD 1200V 240A SOT227B IXYS	183 Vorrätig	1 : € 38,98000 Stange	XPT™, GenX3™	Stange	Aktiv	-	Einzeln	1200 V	240 A	1200 W	3,2V bei 15V, 120A	25 µA	-	Standard	Nein	-55°C bis 175°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B - miniBLOC
VS-GT100DA120UF IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	156 Vorrätig	1 : € 39,36000 Lose im Beutel	HEXFRED®	Lose im Beutel	Aktiv	Schlitz	Einzeln	1200 V	187 A	890 W	2,55V bei 15V, 100A	100 µA	6.15 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227
IXGN320N60A3 IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B IXYS	1 631 Vorrätig	1 : € 41,29000 Stange	GenX3™	Stange	Aktiv	PT	Einzeln	600 V	320 A	735 W	1,25V bei 15V, 100A	150 µA	18 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
APT75GP120JDQ3 IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP Microchip Technology	890 Vorrätig	1 : € 44,96000 Stange	POWER MOS 7®	Stange	Aktiv	PT	Einzeln	1200 V	128 A	543 W	3,9V bei 15V, 75A	1.25 mA	7.04 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	ISOTOP	ISOTOP®
IXGN400N60B3 IGBT MOD 600V 430A 1000W SOT227B IXYS	266 Vorrätig	1 : € 47,78000 Stange	GenX3™	Stange	Aktiv	PT	Einzeln	600 V	430 A	1000 W	1,4V bei 15V, 100A	100 µA	31 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
VS-40MT120PHAPBF MTP - HALF BRIDGE IGBT Vishay General Semiconductor - Diodes Division	39 Vorrätig	1 : € 58,23000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	Halbbrücke	1200 V	75 A	305 W	2,65V bei 15V, 40A	50 µA	3.2 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	12-poliges MTP-Modul	12-MTP
FP35R12W2T4B11BOMA1 IGBT MOD 1200V 54A 215W Infineon Technologies	18 Vorrätig 40 Marktplatz	1 : € 61,70000 Tablett 6 : € 48,22333 Lose im Beutel	-	Lose im Beutel Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Dreiphasiger Umrichter	1200 V	54 A	215 W	2,25V bei 15V, 35A	1 mA	2 nF @ 25 V	Standard	Ja	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FF200R06KE3HOSA1 IGBT MOD 600V 260A 680W Infineon Technologies	16 Vorrätig 164 Marktplatz	1 : € 93,59000 Tablett 4 : € 89,06750 Lose im Beutel	C	Lose im Beutel Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Halbbrücke	600 V	260 A	680 W	1,9V bei 15V, 200A	5 mA	-	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FF150R12KE3GB2HOSA1 IGBT MODULE VCES 1200V 150A Infineon Technologies	15 Vorrätig 190 Marktplatz	1 : € 99,27000 Tablett 3 : € 95,58000 Lose im Beutel	C	Lose im Beutel Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Halbbrückenwechselrichter	1200 V	225 A	780 W	2,15V bei 15V, 150A	5 mA	11 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 125°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul

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IGBTs (Insulated-Gate Bipolar Transistors) sind Leistungshalbleiterkomponenten mit drei Anschlüssen, die hohe Effizienz und kurze Schaltzeiten bieten und in erster Linie als elektronische Schalter eingesetzt werden. Als Module sind die IGBTs in Form von asymmetrischen Brücken, Aufwärts-, Abwärts- und Brems-Chopper, Vollbrücken-, Drei-Ebenen- und Drei-Phasen-Wechselrichter konfiguriert. Einige verfügen über integrierte NTC-Thermistoren zur Temperaturüberwachung. Die Unterscheidung der IGBT-Module erfolgt nach maximaler Leistung, Kollektorstrom, Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung und -Konfiguration.

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