IGBT-Module

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	IGBT-Typ	Konfiguration	Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (max.)	Leistung - Max.	Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	Eingangskapazität (Cies) bei Vce	Eingang	NTC-Thermistor	Betriebstemperatur	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten
IXYN110N120C4H1 1200V, 110A, XPT GEN4 C4 CO-PACK IXYS	226 Vorrätig	1 : € 38,24000 Stange	XPT™	Stange	Aktiv	Schlitz	Einzeln	1200 V	210 A	830 W	2,4V bei 15V, 110A	50 µA	5420 pF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 175°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
VS-GT180DA120U IGBT MOD 1200V 281A 1087W SOT227 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	264 Vorrätig	1 : € 39,45000 Stange	HEXFRED®	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	Einzeln	1200 V	281 A	1087 W	2,05V bei 15V, 100A	100 µA	9.35 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227
IXDN75N120 IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B IXYS	320 Vorrätig	1 : € 40,71000 Stange	-	Stange	Aktiv	NPT	Einzeln	1200 V	150 A	660 W	2,7V bei 15V, 75A	4 mA	5.5 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
APT150GN120J IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP Microchip Technology	347 Vorrätig	1 : € 41,57000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	Einzeln	1200 V	215 A	625 W	2,1V bei 15V, 150A	100 µA	9.5 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	ISOTOP	ISOTOP®
IXGN100N170 IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227B IXYS	240 Vorrätig	1 : € 49,86000 Stange	-	Stange	Aktiv	NPT	Einzeln	1700 V	160 A	735 W	3V bei 15V, 100A	50 µA	9.22 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
FZ400R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 400A 2400W Infineon Technologies	96 Vorrätig	1 : € 77,87000 Tablett	-	Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Einzeln	1200 V	400 A	2400 W	2,1V bei 15V, 400A	5 mA	28 nF @ 25 V	Standard	Ja	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FF200R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 240A 1100W Infineon Technologies	27 Vorrätig	1 : € 77,87000 Tablett	C	Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Halbbrücke	1200 V	240 A	1100 W	2,15V bei 15V, 200A	5 mA	14 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FF200R06KE3HOSA1 IGBT MOD 600V 260A 680W Infineon Technologies	20 Vorrätig 164 Marktplatz	1 : € 85,97000 Tablett 4 : € 77,51750 Lose im Beutel	C	Lose im Beutel Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Halbbrücke	600 V	260 A	680 W	1,9V bei 15V, 200A	5 mA	-	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FZ600R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 600A 3000W Infineon Technologies	29 Vorrätig	1 : € 95,22000 Tablett	C	Tablett	Aktiv	-	Einzeln	1200 V	600 A	3000 W	2,1V bei 15V, 600A	5 mA	1.7 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 125°C	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FZ600R17KE4HOSA1 IGBT MOD 1700V 1200A 3350W Infineon Technologies	26 Vorrätig	1 : € 120,55000 Tablett	C	Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Einzeln	1700 V	1200 A	3350 W	2,3V bei 15V, 600A	1 mA	49 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 150°C	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FZ900R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 900A 4300W Infineon Technologies	58 Vorrätig	1 : € 136,39000 Tablett	C	Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Einzeln	1200 V	900 A	4300 W	2,1V bei 15V, 900A	5 mA	56 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul
NXH800H120L7QDSG 1200V 800A QDUAL3 onsemi	35 Vorrätig	1 : € 163,50000 Tablett	-	Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Halbbrücke	1200 V	800 A	-	2,05V bei 15V, 800A	100 µA	94300 pF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 175°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	11-PIM (152x62,15)
FS1150R08A8P3LBCHPSA1 FS1150R08A8P3LBCHPSA1 Infineon Technologies	83 Vorrätig	1 : € 404,40000 Box	HybridPACK™	Box	Aktiv	-	Dreiphasiger Umrichter	750 V	1.15 kA	1 kW	1,21V bei 15V, 600A	1 mA	60800 pF @ 50 V	Standard	Nein	-40°C bis 175°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	-
IXXN200N60B3 IGBT MOD 600V 280A 940W SOT227B IXYS	153 Vorrätig	1 : € 25,37000 Stange	XPT™, GenX3™	Stange	Aktiv	PT	Einzeln	600 V	280 A	940 W	1,7V bei 15V, 100A	50 µA	9.97 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 175°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
IXXN110N65C4H1 IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B IXYS	246 Vorrätig	1 : € 25,56000 Stange	XPT™, GenX4™	Stange	Aktiv	PT	Einzeln	650 V	210 A	750 W	2,35V bei 15V, 110A	50 µA	3.69 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 175°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
IXXN110N65B4H1 IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B IXYS	212 Vorrätig	1 : € 25,83000 Stange	XPT™, GenX4™	Stange	Aktiv	PT	Einzeln	650 V	215 A	750 W	2,1V bei 15V, 110A	50 µA	3.65 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 175°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
APT75GN120JDQ3 IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP Microchip Technology	115 Vorrätig	1 : € 31,62000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	Einzeln	1200 V	124 A	379 W	2,1V bei 15V, 75A	200 µA	4.8 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	ISOTOP	ISOTOP®
IXYN85N120C4H1 1200V, 85A, XPT GEN4 C4 CO-PACK IXYS	200 Vorrätig	1 : € 32,92000 Stange	XPT™	Stange	Aktiv	Schlitz	Einzeln	1200 V	150 A	600 W	2,5V bei 15V, 85A	50 µA	4030 pF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 175°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
VS-GT90DA120U SOT-227 - SINGLE SWITCH IGBT + A Vishay General Semiconductor - Diodes Division	168 Vorrätig	1 : € 33,69000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	Einzeln	1200 V	169 A	781 W	2,6V bei 15V, 75A	100 µA	-	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227
IXGN320N60A3 IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B IXYS	1 608 Vorrätig	1 : € 37,93000 Stange	GenX3™	Stange	Aktiv	PT	Einzeln	600 V	320 A	735 W	1,25V bei 15V, 100A	150 µA	18 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
APT75GP120JDQ3 IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP Microchip Technology	585 Vorrätig	1 : € 41,30000 Stange	POWER MOS 7®	Stange	Aktiv	PT	Einzeln	1200 V	128 A	543 W	3,9V bei 15V, 75A	1.25 mA	7.04 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	ISOTOP	ISOTOP®
IXGN200N60B3 IGBT MOD 600V 300A 830W SOT227B IXYS	697 Vorrätig	1 : € 49,25000 Stange	GenX3™	Stange	Aktiv	PT	Einzeln	600 V	300 A	830 W	1,5V bei 15V, 100A	50 µA	26 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
VS-40MT120PHAPBF MTP - HALF BRIDGE IGBT Vishay General Semiconductor - Diodes Division	144 Vorrätig	1 : € 53,49000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	Halbbrücke	1200 V	75 A	305 W	2,65V bei 15V, 40A	50 µA	3.2 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	12-poliges MTP-Modul	12-MTP
FS150R12KE3BOSA1 IGBT MOD 1200V 200A 700W Infineon Technologies	28 Vorrätig	1 : € 120,12000 Tablett	-	Tablett	Aktiv	NPT	Dreiphasiger Umrichter	1200 V	200 A	700 W	2,15V bei 15V, 150A	5 mA	10.5 nF @ 25 V	Standard	Ja	-40°C bis 125°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul
IM241L6S1BAUMA1 CIPOS MICRO Infineon Technologies	855 Vorrätig	1 : € 8,04000 Gurtabschnitt (CT) 500 : € 4,94068 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	IM241, CIPOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	-	Dreiphasiger Umrichter	600 V	-	15 W	1,62V bei 15V, 2A	-	-	Standard	Ja	-40°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	23-poliges PowerSMD-Modul, abgewinkelte Anschlüsse	23-SOP

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IGBTs (Insulated-Gate Bipolar Transistors) sind Leistungshalbleiterkomponenten mit drei Anschlüssen, die hohe Effizienz und kurze Schaltzeiten bieten und in erster Linie als elektronische Schalter eingesetzt werden. Als Module sind die IGBTs in Form von asymmetrischen Brücken, Aufwärts-, Abwärts- und Brems-Chopper, Vollbrücken-, Drei-Ebenen- und Drei-Phasen-Wechselrichter konfiguriert. Einige verfügen über integrierte NTC-Thermistoren zur Temperaturüberwachung. Die Unterscheidung der IGBT-Module erfolgt nach maximaler Leistung, Kollektorstrom, Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung und -Konfiguration.

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