Name: VS-GT180DA120U
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: VS-GT180DA120U-ND
Price: 46.68 EUR
Availability: InStock

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VS-GT180DA120U
DigiKey-Teilenr.	VS-GT180DA120U-ND
Hersteller	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller-Teilenummer	VS-GT180DA120U
Beschreibung	IGBT MODULE 1200V 281A SOT-227
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Modul Trench Feldstopp Einzeln 1200 V 281 A 1087 W Chassisbefestigung SOT-227
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Hersteller	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie	HEXFRED®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Konfiguration	Einzeln
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	281 A
Leistung - Max.	1087 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,05V bei 15V, 100A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	100 µA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce	9.35 nF @ 25 V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	Nein
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	SOT-227-4, miniBLOC
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-227
Basis-Produktnummer	GT180

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