IXYK1x0xNxxxx
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXXN110N65C4H1

DigiKey-Teilenr.
IXXN110N65C4H1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXXN110N65C4H1
Beschreibung
IGBT MOD 650V 210A 750W SOT-227B
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
IGBT Modul PT Einzeln 650 V 210 A 750 W Chassisbefestigung SOT-227B
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
IXYS
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
IGBT-Typ
PT
Konfiguration
Einzeln
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
210 A
Leistung - Max.
750 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2,35V bei 15V, 110A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
50 µA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce
3.69 nF @ 25 V
Eingang
Standard
NTC-Thermistor
Nein
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
SOT-227-4, miniBLOC
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-227B
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
EigenschaftBeschreibung
RoHS-StatusRoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL)1 (Unbegrenzt)
REACH-StatusVon REACH nicht betroffen
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
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EigenschaftBeschreibung
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