Name: XPQ1R00AQB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPQ1R00AQBLXHQTR-ND
Price: 6.312 EUR
Availability: OutOfStock

N-Kanal 100 V 300 A (Ta) 750W (Tc) Oberflächenmontage L-TOGL™

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XPQ1R00AQB,LXHQ
DigiKey-Teilenr.	264-XPQ1R00AQBLXHQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-XPQ1R00AQB,LXHQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-XPQ1R00AQB,LXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	XPQ1R00AQB,LXHQ
Beschreibung	100V UMOS10 L-TOGL 1.03MOHM
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 300 A (Ta) 750W (Tc) Oberflächenmontage L-TOGL™
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 1,5mA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 269 nC @ 10 V
Serie U-MOSX-H	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 21450 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 750W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 175°C
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 300 A (Ta)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten L-TOGL™
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,03mOhm bei 150A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerBSFN