Name: SQJQ112E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJQ112E-T1_GE3TR-ND
Price: 5.04 EUR
Availability: InStock

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SQJQ112E-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SQJQ112E-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SQJQ112E-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SQJQ112E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQJQ112E-T1_GE3
Beschreibung	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Standardlieferzeit des Herstellers	39 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 8 x 8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQJQ112E-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 272 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 15945 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 600W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 296A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 8 x 8
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,53mOhm bei 20A, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 8 x 8