Name: IAUTN15S6N025ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN15S6N025ATMA1TR-ND
Price: 7.764 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

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IAUTN15S6N025ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUTN15S6N025ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUTN15S6N025ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUTN15S6N025ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUTN15S6N025ATMA1
Beschreibung	MOSFET_(120V 300V)
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 245A (Tj) 357W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUTN15S6N025ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 270µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 139 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 6 Power-Transistor	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 9900 pF @ 75 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 357W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 245A (Tj)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 8V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HSOF-8-1
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,5mOhm bei 100A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerSFN

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