Name: IAUTN15S6N025ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN15S6N025ATMA1TR-ND
Price: 8.388 EUR
Availability: OutOfStock

Neues Produkt

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IAUTN15S6N025ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUTN15S6N025ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUTN15S6N025ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUTN15S6N025ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUTN15S6N025ATMA1
Beschreibung	MOSFET_(120V 300V)
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 245A (Tj) 357W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUTN15S6N025ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6 Power-Transistor
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	245A (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	8V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,5mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 270µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	139 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	9900 pF @ 75 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	357W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOF-8-1
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN

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