Name: SIJK5100E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND
Price: 7.152 EUR
Availability: InStock

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SIJK5100E-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIJK5100E-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIJK5100E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIJK5100E-T1-GE3
Beschreibung	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 74A (Ta), 417A (Tc) 17W (Ta), 536W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK®10 x 12
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIJK5100E-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,4mOhm bei 80A, 10V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 200 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 11480 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 17W (Ta), 536W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 74A (Ta), 417A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK®10 x 12
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerBSFN