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MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 428A (Tc) 1250W (Tc) Chassisbefestigung
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GCMX3P5B120S3B1-N

DigiKey-Teilenr.
1560-GCMX3P5B120S3B1-N-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
GCMX3P5B120S3B1-N
Beschreibung
GEN3 1200V 3.6M SIC 62MM HALF BR
Standardlieferzeit des Herstellers
6 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 428A (Tc) 1250W (Tc) Chassisbefestigung
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5mOhm bei 200A, 18V
Hersteller
SemiQ
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 80mA
Serie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
1070nC bei 18V
Verpackung
Box
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
26900pF bei 800V
Status der Komponente
Aktiv
Leistung - Max.
1250W (Tc)
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Gehäuse / Hülle
Modul
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
428A (Tc)
Umwelt- und Exportklassifikationen
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