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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
GCMX003A120S3B1-N | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 1560-GCMX003A120S3B1-N-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | GCMX003A120S3B1-N |
Beschreibung | 1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 625A (Tc) 2113W (Tc) Chassisbefestigung |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 5,5mOhm bei 300A, 20V |
Hersteller SemiQ | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 120mA |
Serie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 1408nC bei 20V |
Verpackung Box | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 41400pF bei 800V |
Status der Komponente Aktiv | Leistung - Max. 2113W (Tc) |
Technologie Siliziumkarbid (SiC) | Betriebstemperatur -40°C bis 175°C (TJ) |
Konfiguration 2 N-Kanal (Halbbrücke) | Montagetyp Chassisbefestigung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1,2kV) | Gehäuse / Hülle Modul |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 625A (Tc) |
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Alle Preise in EUR
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 217,10000 | € 217,10 |
| 15 | € 195,43467 | € 2.931,52 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 217,10000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 260,52000 |
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