Name: GCMX2P3B120S3B1-N
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX2P3B120S3B1-N-ND
Price: 171.384 EUR
Availability: InStock

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GCMX2P3B120S3B1-N
DigiKey-Teilenr.	1560-GCMX2P3B120S3B1-N-ND
Hersteller	SemiQ
Hersteller-Teilenummer	GCMX2P3B120S3B1-N
Beschreibung	GEN3 1200V 2.4M SIC 62MM HALF BR
Standardlieferzeit des Herstellers	6 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 608A (Tc) 1705W (Tc) Chassisbefestigung
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3mOhm bei 300A, 18V
Hersteller SemiQ	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 120mA
Serie QSiC™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 1566nC bei 18V
Verpackung Box	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 42900pF bei 800V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 1705W (Tc)
Technologie Siliziumkarbid (SiC)	Betriebstemperatur -40°C bis 175°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Kanal (Halbbrücke)	Montagetyp Chassisbefestigung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1,2kV)	Gehäuse / Hülle Modul
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 608A (Tc)