MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 424A (Tc) 1531W (Tc) Chassisbefestigung
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GCMX005A120S3B1-N

DigiKey-Teilenr.
1560-GCMX005A120S3B1-N-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
GCMX005A120S3B1-N
Beschreibung
1200V, 5M SIC MOSFET HALF BRIDGE
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 424A (Tc) 1531W (Tc) Chassisbefestigung
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
7mOhm bei 200A, 20V
Hersteller
SemiQ
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 80mA
Serie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
901nC bei 20V
Verpackung
Box
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
26400pF bei 800V
Status der Komponente
Aktiv
Leistung - Max.
1531W (Tc)
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Gehäuse / Hülle
Modul
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
424A (Tc)
Umwelt- und Exportklassifikationen
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