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N-Kanal 500 V 11 A (Tc) 59W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
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R5011FNX

DigiKey-Teilenr.
846-R5011FNX-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
R5011FNX
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 11 A (Tc) 59W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt
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R5011FNX Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
520mOhm bei 5,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
950 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
59W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FM
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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