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Product Highlights
Power Semiconductor - Silicon Carbide (SiC)
Datum der Veröffentlichung: 2019-06-10
Silicon Carbide (SiC) devices have the potential to revolutionize today’s power electronics; featuring fast switching times, high blocking voltage capabilities & the ability to operate at high temperatures.
The MCC SICWT40120G6M SiC Schottky diode is optimized for demanding power systems requiring reliable operation under extreme conditions.
SiC Schottky Rectifier
Datum der Veröffentlichung: 2015-08-28
GeneSiC is offering and continuously improving innovative Silicon Carbide power rectifiers for high voltage rating applications, with significant advantages.
onsemi Heat Pump Power Design
Datum der Veröffentlichung: 2024-03-28
Optimize energy efficiency in HVAC systems with onsemi’s advanced intelligent power modules and power factor correction modules. Designed for high reliability and performance, they achieve high power density with minimum power dissipation.
Power Solutions
Datum der Veröffentlichung: 2020-02-28
ROHM offers many solutions in a variety of industries for all of your power needs; ranging from current detection resistors, 1200V IGBTs, gate drivers and more.
Automotive SiC Schottky Barrier Diodes
Datum der Veröffentlichung: 2024-10-31
ROHM Semiconductor SiC Schottky barrier diodes are designed to meet the demanding requirements of modern automotive applications.
Automotive Solutions
Datum der Veröffentlichung: 2019-07-03
ROHM Semiconductor’s high-performance ICs and power devices are essential in the automotive industry's move towards electronification.
Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Sperrschichtdioden der Serie BSD
Aktualisiert: 2023-11-07
Die Siliziumkarbid-Schottky-Sperrschichtdioden der Serie BSD von Bourns sind für Anwendungen mit hohen Frequenzen und hohen Stromstärken konzipiert, die eine erhöhte Spitzendurchlassstrombelastbarkeit erfordern.
Diskrete Siliziumkarbid-Schottky-Dioden
Aktualisiert: 2025-12-08
Diskrete Siliziumkarbid-Schottky-Diode von SemiQ
Siliziumkarbid-Schottky-Moduldioden
Aktualisiert: 2025-12-08
SemiQ stellt seine Siliziumkarbid-Schottky-Moduldioden vor.
Siliziumkarbid-Schottky-Leistungsdioden
Datum der Veröffentlichung: 2013-02-06
Bietet überlegenen Überstromschutz, positiven Temperaturkoeffizienten von Vf, überlegenen Gütefaktor Qc/If und vieles mehr.
3300-V-Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFET MSC400SMA330
Datum der Veröffentlichung: 2024-01-19
Der 3300-V-Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFET MSC400SMA330 von Microchip sorgt dafür, dass die Performance während der Lebensdauer des Equipments nicht nachlässt.
Siliziumkarbid-(SiC)-Dioden mit 1200 V
Datum der Veröffentlichung: 2015-07-06
ROHM ist ein führender Hersteller von SiC-Technologie, die eine höhere Effizienz und bessere Wärmeleitfähigkeit in Hochspannungsdesigns ermöglicht.
Siliziumkarbid-Schottky-Diode
Aktualisiert: 2019-02-19
Die Siliziumkarbid-Schottky-Leistungsdiode bietet überlegenen Überstromschutz und positiven Temperaturkoeffizienten von Vf.
Siliziumkarbid-Transistor
Datum der Veröffentlichung: 2013-02-05
Zu den Vorteilen dieses Siliziumkarbid-Transistors gehören niedrige Schaltverluste, höhere Effizienz, Betrieb bei hohen Temperaturen und hohe Kurzschlussfestigkeit.
TRCDrive Pack™ in DOT247/HSDIP20-Gehäusen
Aktualisiert: 2026-03-10
Die leistungsstarken SiC-Leistungsmodule der TRCDrive-Pack™-Serie von ROHM in HSDIP20- und DOT-247-Gehäusen sind für Automobil- und Industrieanwendungen konzipiert.
Explore Vishay alternative energy and power transmission solutions at DigiKey, including high-performance capacitors, resistors, diodes, MOSFETs, and power management components designed for solar, wind, EV, and industrial applications.
