Siliziumkarbid-Schottky-Diode
Siliziumkarbid-Schottky-Diode von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor stellt seine Siliziumkarbid-Schottky-Leistungsdiode vor. Der Vorteil dieser Produkte ist der verbesserte Schaltungswirkungsgrad (Niedrigere Gesamtkosten), niedrige Schaltverluste, einfaches parallelschalten von Geräten ohne thermische Instabilität, kleinere Kühlkörper, niedrigerer Rückwärtserholungsstrom, niedrigere Gerätekapazität und niedriger Rückwärtskriechstrom bei Betriebstemperatur. Bei 1200 V haben Kunden die Wahl von 1 A bei 13 nC oder 5 A bei 35 nC in einem TO-220AC-Gehäuse. Beide Produkte sind RoHS-konform.
- 1200 V Schottky-Gleichrichter
- Maximale Betriebstemperatur: 175°C
- Temperaturunabhängiges Schaltverhalten
- Überlegene Stoßstromfestigkeit
- Positiver Temperaturkoeffizient von Vf
- Extrem schnelles Schalten
- Überlegener Gütefaktor Qc/If
- Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
- Getaktete Spannungsversorgung (SMPS)
- Solar-Wechselrichter
- Windturbinen-Wechselrichter
- Motorantriebe
- Induktionsheizung
- Unterbrechungsfreie Spannungsversorgung (USV)
- Hochspannungs-Multiplizierer
Arrays
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | GB2X50MPS17-227 | DIODE MOD SIC 1700V 136A SOT-227 | 0 - Sofort | $80.61 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | GC2X20MPS12-247 | DIODE ARR SIC 1200V 90A TO247-3 | 0 - Sofort | $11.92 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | GE2X8MPS06D | DIODE ARRAY SIC 650V 19A TO247-3 | 38 - Sofort | $6.81 | Details anzeigen |
Single
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | GB02SLT12-214 | DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA | 0 - Sofort | $4.89 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | GAP3SLT33-214 | DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA | 1878 - Sofort | $15.69 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | GB05MPS33-263 | DIODE SIL CARB 3300V 14A TO2637 | 3 - Sofort | $32.99 | Details anzeigen |







