ROHM Semiconductor

Siliziumkarbid-(SiC)-Dioden mit 1200 V

ROHM stellt die nächste Generation von SiC-Leistungskomponenten und -modulen für erhöhte Energieeinsparungen in vielen Anwendungen vor

Bild der Siliziumkarbid-(SiC)-Dioden von Rohm Semiconductor mit 1200 VSiC zeichnet sich aufgrund seines geringen Betriebswiderstands und hervorragender Eigenschaften bei hohen Temperaturen als der wirtschaftlichste Kandidat auf der Suche nach einer nächsten Generation verlustarmer Elemente ab.ROHM entwickelt SiC-Leistungskomponenten und -module für erhöhte Energieeinsparungen in einer Reihe von Anwendungen, angefangen bei hocheffizienten Wechselrichtern in DC/AC-Wandlern für Solar-/Windenergie sowie Elektro-/Hybridfahrzeuge bis hin zu Wechselrichtern für industrielle Anlagen und Klimaanlagen.

Merkmale Anwendungen
  • Geringer Betriebswiderstand
  • Hohe Schaltgeschwindigkeit
  • Geringe Sperrverzögerung
  • Leicht parallel zu schalten
  • Einfach zu treiben
  • Bleifreie Kontaktbeschichtung
  • RoHS-konform
  • Solar-Wechselrichter
  • DC/DC-Wandler
  • Schaltnetzteile
  • Induktionsheizung
  • Motorantriebe

1200 V Silicon Carbide SiC Diodes

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreis
SICFET N-CH 1200V 10A TO247SCT2450KECSICFET N-CH 1200V 10A TO2470 - Sofort$3.54Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 14A TO247SCT2280KECSICFET N-CH 1200V 14A TO2470 - Sofort$4.47Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 22A TO247SCT2160KECSICFET N-CH 1200V 22A TO2470 - Sofort$7.03Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 40A TO247SCT2080KECSICFET N-CH 1200V 40A TO2470 - Sofort$12.42Details anzeigen
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Veröffentlicht: 2015-07-06

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