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Siliziumkarbid-Transistor
Siliziumkarbid-Super-Junction-Transistor von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor stellt seine normalerweise im Aus-Zustand befindlichen Siliziumkarbid-Super-Junction-Transistoren vor. Zu den Vorteilen der Verwendung dieses Produkts gehören niedrige Schaltverluste, höhere Effizienz, Betrieb bei hohen Temperaturen und hohe Kurzschlussfestigkeit. Bei 1700 V stehen Optionen mit 4 A bei 500 mΩ RDS(on) oder 8 A bei 250 mΩ RDS(on) zur Verfügung. Diese Produkte sind RoHS-konform und kommen in einem TO-247AB-Gehäuse.
Merkmale
- Maximale Betriebstemperatur: 170 °C
- Temperaturunabhängiges Schaltverhalten
- Gate-Oxidfreier SiC-Schalter
- Geeignet zum Anschluss einer antiparallelen Diode
- Positiver Temperaturkoeffizient für einfache Parallelschaltung
- Geringe Gate-Aufladung
- Geringe Eigenkapazität
Anwendungen
- Luft- und Raumfahrt und militärische Anwendungen
- Ölbohrungen, geothermische Instrumentierung
- Hybrid-Elektrofahrzeuge (HEV)
- Solar-Wechselrichter
- Getaktete Spannungsversorgung (SMPS)
- Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
- Induktionsheizung
- Unterbrechungsfreie Spannungsversorgung (USV)
- Motorantriebe
Silicon Carbide Transistor
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
 | GA04JT17-247 | TRANS SJT 1700V 4A TO247AB | 0 - Sofort | $16.79 | Details anzeigen | |
 | GA08JT17-247 | TRANS SJT 1700V 8A TO247AB | 0 - Sofort | $38.94 | Details anzeigen |
Veröffentlicht: 2013-02-05
