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Überlegene GaN-Performance
Für maximalen Wirkungsgrad: CoolGaN™-HEMTs und EiceDRIVER™-Gate-Treiber von Infineon
CoolGaN™, die GaN-Technologie von Infineon, ist unübertroffen in ihrer Qualität und wird durch die hauseigene Fertigung von Infineon für eine stabile Versorgung gestützt. Die CoolGaN™-Produkte bieten den höchsten Wirkungsgrad und die höchste Leistungsdichte auf dem Markt und sind damit ideal für Anwendungen, die eine überragende Performance erfordern. Mit umfassender Erfahrung und Anwendungs-Know-how bietet Infineon innovative Produktlösungen über das gesamte Spektrum von diskreten bis hin zu hochintegrierten Systemlösungen.
Gründe für GaN-Technologie von Infineon
Umfassendes Technologie-Angebot:
Si + SiC + GaN
Höchste Qualitätsstandards:
Der zuverlässigste GaN-HEMT der Branche
Versorgungssicherheit:
Eigene Herstellung
Anwendungsabdeckung:
Industrie-, Verbraucher- und Automobiltechnik
IP-Führerschaft:
Mehr als 650 GaN-spezifische Patente
Systemkompetenz:
Schalter, Treiber und Steuer-IC
Zielanwendungen
- Ladegeräte/Adapter
- Beleuchtung
- Server
- Telekommunikation
- TV/Monitore
- Solaranwendungen
- Motorantrieben
Wählen, was richtig ist – diskret oder IPS.
Der Grafik ist zu entnehmen, ob ein Design eine flexible, diskrete Lösung oder ein hochintegriertes System benötigt. Das CoolGaN™-Angebot bietet das richtige Produkt für sämtliche Anforderungen.
- Diskrete Lösungen
- Integrierte Lösungen
- Entwicklungsunterstützung
Diskrete Lösung: 600-V-CoolGaN™-GIT-E-Modus-HEMTs und EiceDRIVER™-Gate-Treiber-ICs
Der CoolGaN™-GIT-HEMT von Infineon nutzt hocheffiziente Galliumnitrid-Transistor-Technologie für die Leistungswandlung im Spannungsbereich bis 600 V. Infineon hat das E-Modus-Konzept mit durchgehender Massenproduktion zur Reife gebracht. Die bahnbrechende Qualität gewährleistet die höchsten Standards und bietet die zuverlässigste und leistungsstärkste Lösung unter allen GaN-HEMTs auf dem Markt.
Hauptmerkmale
- Hohe Performance
- Ober- und unterseitig gekühlte SMD-Gehäuse
- Höchste Effizienz und Leistungsdichte
- Bestes thermisches Verhalten in Anwendungen
Hauptvorteile
- Einzigartiges Anreicherungskonzept
- Beste Eignung für hart und weich schaltende Anwendungen
- Ein- und Ausschaltoptimierung
- Keine Sperrverzögerungs-Qrr
- Keine RDS(on)-Verschiebung
- Ausgezeichnete Stabilität
- Bester Gütefaktor
- Längere Lebensdauer nachgewiesen
Produktangebot:
| Gehäuse RDS(ON) | DSO-20-85 mit unterseitiger Kühlung |
DSO-20-87 mit oberseitiger Kühlung |
HSOF-8-3 TO unbedrahtet |
LSON-8-1 DFN 8x8 |
TSON-8-3 ThinPAK 5x6 |
|---|---|---|---|---|---|
| 70 mΩ | IGO60R070D1 | IGOT60R070D1 | IGT60R070D1 | IGLD60R070D1 | |
| 190 mΩ | IGLD60R190D1 | IGLR60R190D1 | |||
| 260 mΩ | IGLR60R260D1 | ||||
| 340 mΩ | IGLR60R340D1 |
Gate-Treiber-Lösungen:
Die CoolGaN™-GIT-E-Modus-HEMTs von Infineon lassen sich einfach ansteuern. In diesem Hintergrundartikel werden verschiedene Treiberlösungen beschrieben, vom standardmäßigen RC-gekoppelten Treiber bis hin zu einem neuen differenziellen Treiberkonzept, das dedizierte Gate-Treiber-ICs nutzt. Bei Halbbrücken-Topologien könnte eine hybride Konfiguration, die isolierte und nicht isolierte Treiber kombiniert, eine interessante Alternative darstellen. Praktische Anwendungsbeispiele und Schaltbilder ergänzen den Artikel.
Standard-Gate-Treiber für CoolGaN™-GIT-E-Modus-HEMTs
| EiceDRIVER™- Familie |
Teilenummer | Ausgangskanäle | Technologie und Isolationsklasse | Anwendungsfall | Paket | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2EDi | 2EDF7275F | 2 Kanäle | Isoliert | Funktional | Ansteuerung von zwei GaN (Halbbrücke, diagonal, parallel) | DSO-16, 3,81 mm |
| 2EDF8275F | ||||||
| 2EDF7275K | LGA-13 | |||||
| 2EDS7165H | Verstärkt | DSO-16, 7,62 mm | ||||
| 2EDS8265H | ||||||
| 2EDR7259X | DSO-14, 7,62 mm | |||||
| 2EDR8259X | ||||||
| 2EDB7259Y | Einfacher Schutz | DSO-14, 3,81 mm | ||||
| 2EDB8259Y | ||||||
| 1EDB | 1EDB7275F | 1 Kanal | Isoliert | Einfacher Schutz | Ansteuerung von High-Side-GaN | DSO-8, 3,81 mm |
| 1EDB8275F | ||||||
| 1EDN-TDI | 1EDN7550B | 1 Kanal | Echte differenzielle Eingänge (TDI) | Nicht isoliert | Ansteuerung von Low-Side-Kelvin-Source-GaN | SOT23 |
| 1EDN8550B | 6-polig | |||||
Dedizierte Gate-Treiber ICs für CoolGaN™-GIT-E-Modus-HEMTs
| EiceDRIVER™- Familie |
Teilenummer | Ausgangskanäle | Technologie | Anwendungsfall | Paket |
|---|---|---|---|---|---|
| 1EDi | 1EDS5663H | 1 Kanal | Isoliert | Ansteuerung von Low-Side- oder High-Side-CoolGaN™-GIT-E-Modus-HEMTs mit minimalen Rückwärtsleitungsverlusten und sicherem „ersten Impuls“ | DSO-16, 7,62 mm verstärkt |
| 1EDF5673F | DSO-16 3,81 mm HVI funktionell | ||||
| 1EDF5673K | LGA13 5 x 5 mm LV funktionell |
Integrierte GaN: Integrierte CoolGaN™-Leistungsstufe mit Halbbrücke und einfachem Schalter
Die integrierte CoolGaN™-Leistungsstufe (Integrated Power Stage, IPS) von Infineon kombiniert die robuste Struktur von Hybrid-Drain-eingebetteten Gate-Injection-Transistoren (HD-GIT) mit der präzisen Technologie der integrierten EiceDRIVER™-Gate-Treiber von Infineon. Das führt zu einem kleineren physischen Footprint, einer höheren Leistungsdichte und einem höheren Wirkungsgrad und damit zu einer hervorragenden Alternative zu Silizium-Halbleitern. Die CoolGaN™-IPS von Infineon bietet darüber hinaus den Vorteil einer höheren Schaltfrequenz und einer größeren Designflexibilität. Für die Entwicklung bedeutet das energieeffizientere Systeme, eine vereinfachte Implementierung und eine bessere Ausnutzung des Platzes auf der Platine.
Hauptmerkmale
- Baustein mit Digitaleingang und Leistungsausgang
- Für Anwendung konfigurierbares Schaltverhalten
- Äußerst genaues und stabiles Timing
- Thermisch verbessertes QFN-28/21-Gehäuse mit 8 mm x 8 mm
Hauptvorteile
- Einfache Ansteuerung mit digitalem PWM-Eingang
- Niedrige System-Materialkosten
- Konfigurierbarkeit des Gate-Pfads mit niederinduktiver Schleife auf Platine
- Einstellung einer kurzen Totzeit, um Wirkungsgrad des Systems zu maximieren
- Kleine Gehäuse für kompakte Systemdesigns
Online-Schulung: Vorteile von CoolGaN™-IPS für hochdichte Ladegeräte und Adapter
Die CoolGaN™-IPS ist in einer Halbbrücken-Leistungsstufenkonfiguration (erhältlich mit 140 mΩ bis 500 mΩ) oder einer Einzelkanal-Konfiguration (erhältlich mit 100 mΩ bis 270 mΩ) mit dedizierten Gate-Treibern in einem thermisch verbesserten QFN-Gehäuse (8 mm x 8 mm) verfügbar.
Produktangebot
| Gehäuse RDS(ON) | CoolGaN™-Halbbrücke | CoolGaN™-IPS-Einzelschalter |
|---|---|---|
| 100 mΩ | IGI60F100A1L | |
| 140 mΩ | IGI60F1414A1L | IGI60F140A1L |
| 200 mΩ | IGI60F2020A1L | IGI60F200A1L |
| 270 mΩ | IGI60F2727A1L | IGI60F270A1L |
| 500 mΩ | IGI60F5050A1L |
Entwicklungsunterstützung
EVAL_1EDF_G1B_HB_GAN
Hochfrequenz-Halbbrücken-Evaluierungsboard mit EiceDRIVER™-GaN
EVAL_HB_GANIPS_G1
Evaluierungsboard für 600-V-Hochfrequenz-CoolGaN™-IPS-Halbbrücke mit IGI60F1414A1L
EVAL_HB_PARALLELGAN
Evaluierung der Parallelschaltung von 600-V-CoolGaN™-HEMTs in Halbbrückenkonfigurationen für Anwendungen mit höherer Leistung
Anwendungshinweise
Entwicklungsleitfaden
Hintergrundartikel
Online-Schulungen
- Ansteuerung der CoolGaN™-GIT-HEMTs von Infineon
- Grundlagen der 600-V-CoolGaN™-Transistoren
- Verstehen und Anwenden der Überspannungsnennwerte für CoolGaN™ von Infineon
- CoolGaN™ von Infineon: Grundlagen zu Zuverlässigkeit und Qualifikation
- Vorteile von CoolGaN™-IPS für hochdichte Ladegeräte und Adapter
- Isolierte Gate-Treiber-Lösungen: Pulstransformatoren und Gate-Treiber-ICs im Vergleich
Simulationsmodelle
MV CoolGan Discretes
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | FET-Typ | Technologie | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Verfügbare Menge | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | IGC033S10S1XTMA1 | GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 100 V | 6668 - Sofort | Details anzeigen |
| | IGC037S12S1XTMA1 | GANFET N-CH 120V 19A 6TDFN | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 120 V | 1887 - Sofort | Details anzeigen |
|  | IGB110S101XTMA1 | GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 100 V | 2676 - Sofort | Details anzeigen |
|  | IGB070S10S1XTMA1 | GANFET N-CH 100V 13A 4TDFN | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 100 V | 2801 - Sofort | Details anzeigen |
| | IGC025S08S1XTMA1 | GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 80 V | 1987 - Sofort | Details anzeigen |
|  | IGC033S101XTMA1 | GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 100 V | 3061 - Sofort | Details anzeigen |
| | IGC019S06S1XTMA1 | GANFET N-CH 60V 27A 6TDFN | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 60 V | 2348 - Sofort | Details anzeigen |
| | IGB110S10S1XTMA1 | GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 100 V | 4496 - Sofort | Details anzeigen |
MV CoolGaN BDS
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | FET-Typ | Technologie | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Verfügbare Menge | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | IGK120B041SXTSA1 | GANFET N-CH 40V 30A 16WLBGA | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 40 V | 3975 - Sofort | Details anzeigen |
| | IGK048B041SXTSA1 | GANFET N-CH 40V 53A 16WLBGA | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 40 V | 3949 - Sofort | Details anzeigen |
| | IGK080B041SXTSA1 | GANFET N-CH 40V 35A 16WLBGA | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 40 V | 0 - Sofort | Details anzeigen |
MV CoolGaN Boards
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Hauptzweck | Ausgänge und Typ | Leistung - Abgabe | Verfügbare Menge | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | REFIBC1600WGANTOBO1 | EVAL BOARD FOR IGC033S10S1 | DC/DC-Wandler | 1 isolierter Ausgang | 1,6kW | 0 - Sofort | Details anzeigen |
|  | EVALMTR48V20AGANTOBO1 | EVAL BOARD 1EDN7126G IGC033S101 | Leistungsmanagement | Motorsteuerung/-treiber | Nein | 1 - Sofort | Details anzeigen |
|  | EVAL7136U100VGANCTOBO1 | EVAL BOARD 1EDN7136U IGC033S10S1 | Leistungsmanagement | Halb-H-Brückentreiber (interner FET) | Nein | 22 - Sofort | Details anzeigen |
HV CoolGaN Discretes
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | FET-Typ | Technologie | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Verfügbare Menge | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | IGLT65R055B2AUMA1 | GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 650 V | 2908 - Sofort | Details anzeigen |
|  | IGD70R500D2SAUMA1 | GANFET N-CH 700V 3.4A T0252-3 | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 700 V | 2558 - Sofort | Details anzeigen |
| | IGD70R270D2SAUMA1 | GANFET N-CH 700V 5.8A T0252-3 | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 700 V | 2058 - Sofort | Details anzeigen |
|  | IGLT65R035D2ATMA1 | GANFET N-CH 650V 47A 16SOP | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 650 V | 283 - Sofort | Details anzeigen |
|  | IGLR70R270D2SXUMA1 | GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFN | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 700 V | 4015 - Sofort | Details anzeigen |
| | IGLR65R270D2XUMA1 | GANFET N-CH 650V 7.2A 8TDFN | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 650 V | 4312 - Sofort | Details anzeigen |
| | IGLR65R200D2XUMA1 | GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 650 V | 6625 - Sofort | Details anzeigen |
| | IGLR70R140D2SXUMA1 | GANFET N-CH 700V 13A 8TDFN | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 700 V | 4395 - Sofort | Details anzeigen |
| | IGLR65R140D2XUMA1 | GANFET N-CH 650V 13A 8TDFN | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 650 V | 4075 - Sofort | Details anzeigen |
|  | IGLD65R140D2AUMA1 | GANFET N-CH 650V 12A 8LDFN | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 650 V | 2217 - Sofort | Details anzeigen |
HV IGaN
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Ausgangskonfiguration | Anwendungen | Schnittstelle | Verfügbare Menge | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | IGI60L1111B1MXUMA1 | HV IGAN/SIPS/MONOLITH | Halbbrücke | DC-Motoren, allgemeine Anwendungen | PWM | 65 - Sofort | Details anzeigen |
| | IGI60L5050B1MXUMA1 | HV IGAN/SIPS/MONOLITH | Halbbrücke | DC-Motoren, allgemeine Anwendungen | PWM | 2945 - Sofort | Details anzeigen |
|  | IGI60L2727B1MXUMA1 | HV IGAN/SIPS/MONOLITH | Halbbrücke (3) | DC-Motoren, DC/DC-Wandler | PWM | 2483 - Sofort | Details anzeigen |
|  | IGI65D1414A3MSXUMA1 | HV IGAN/SIPS/MONOLITH | Halbbrücke | AC-Motoren, DC-Motoren, DC/DC-Wandler, allgemeine Anwendungen | - | 2925 - Sofort | Details anzeigen |
| | IGI60L1414B1MXUMA1 | IC HALF BRIDGE DRIVE | Halbbrücke | DC-Motoren, allgemeine Anwendungen | - | 2930 - Sofort | Details anzeigen |
HV GaN BDS
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | FET-Typ | Technologie | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Verfügbare Menge | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| | IGLT65R055B2AUMA1 | GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 650 V | 2908 - Sofort | Details anzeigen |
| | IGLT65R110B2AUMA1 | GANFET N-CH 650V 14A 16SOP | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 650 V | 1533 - Sofort | Details anzeigen |
HV GaN EVAL BOARDS
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Typ | Funktion | Embedded | Verfügbare Menge | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | EVAL2EDGANINV1KWTOBO1 | BOARD 2ED21064S06J IGT65R055D2 | Leistungsmanagement | Motorsteuerung/-treiber | Ja, MCU | 0 - Sofort | Details anzeigen |
|  | REF3K3WHFHDPSUTOBO1 | EVAL BOARD FOR IGT65R035D2 | AC/DC-Wandler | 1 isolierter Ausgang | 3,3kW | 4 - Sofort | Details anzeigen |
Gate driver ICs for 650 V GaN HEMTs
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|
|  | 1EDB7275FXUMA1 | DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8 | 19709 - Sofort | Details anzeigen |
|  | 2EDB7259YXUMA1 | DGTL ISO 3KV 2CH GATE DVR DSO14 | 2047 - Sofort | Details anzeigen |
| | 2EDR7259XXUMA1 | DGTL ISO 5.7KV 2CH GT DVR DSO14 | 947 - Sofort | Details anzeigen |
|  | 2EDR8259XXUMA1 | DGTL ISO 5.7KV 2CH GT DVR DSO14 | 2136 - Sofort | Details anzeigen |
|  | 2ED21814S06JXUMA1 | IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOIC | 2252 - Sofort | Details anzeigen |
|  | 2ED21834S06JXUMA1 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC | 12084 - Sofort | Details anzeigen |
| | 2ED21844S06JXUMA1 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC | 6455 - Sofort | Details anzeigen |
|  | 2ED2183S06FXUMA1 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC | 12505 - Sofort | Details anzeigen |
|  | 2ED2182S06FXUMA1 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC | 0 - Sofort | Details anzeigen |
| | 2ED2106S06FXUMA1 | IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC | 3809 - Sofort | Details anzeigen |
Recommended EiceDRIVER gate driver ICs for GaN HEMTs up to 200 V
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Von DigiKey programmierbar | Getriebene Konfiguration | Kanaltyp | Verfügbare Menge | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | 1EDN8511BXUSA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 | Nicht verifiziert | Niedrige Seite | Einzeln | 15801 - Sofort | Details anzeigen |
|  | 1EDN7512BXTSA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 | Nicht verifiziert | Niedrige Seite | Einzeln | 0 - Sofort | Details anzeigen |
|  | 1EDN7550BXTSA1 | IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6 | Nicht verifiziert | High-Side, Low-Side | Einzeln | 5855 - Sofort | Details anzeigen |
|  | 2EDN7524GXTMA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE 8WSON | Nicht verifiziert | Niedrige Seite | Unabhängig | 7756 - Sofort | Details anzeigen |
| | 1EDN7511BXUSA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 | Nicht verifiziert | Niedrige Seite | Einzeln | 12034 - Sofort | Details anzeigen |
|  | 2EDN7534BXTSA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 | Nicht verifiziert | Niedrige Seite | Unabhängig | 5070 - Sofort | Details anzeigen |
| | 2EDN7534FXTMA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC | Nicht verifiziert | Niedrige Seite | Unabhängig | 3224 - Sofort | Details anzeigen |
|  | 2EDN7533BXTSA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 | Nicht verifiziert | Niedrige Seite | Unabhängig | 2990 - Sofort | Details anzeigen |
|  | 1EDN7512GXTMA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON | Nicht verifiziert | Niedrige Seite | Einzeln | 4779 - Sofort | Details anzeigen |
|  | 1EDN6550BXTSA1 | IC GATE DRVR HI/LOW SIDE SOT23-6 | Nicht verifiziert | High-Side, Low-Side | Einzeln | 6413 - Sofort | Details anzeigen |
