Name: IGC033S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC033S10S1XTMA1TR-ND
Price: 5.472 EUR
Availability: InStock

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IGC033S10S1XTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IGC033S10S1XTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IGC033S10S1XTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IGC033S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IGC033S10S1XTMA1
Beschreibung	GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN
Standardlieferzeit des Herstellers	29 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 21A (Ta), 76A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSON-6-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IGC033S10S1XTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,3mOhm bei 20A, 5V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 2,9V bei 8mA
Serie CoolGaN™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 14 nC @ 5 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±6,5V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1400 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,3W (Ta), 45W (Tc)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 21A (Ta), 76A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSON-6-2
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 5V	Gehäuse / Hülle 6-PowerTDFN