Name: IGC025S08S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC025S08S1XTMA1TR-ND
Price: 5.472 EUR
Availability: InStock

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IGC025S08S1XTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IGC025S08S1XTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IGC025S08S1XTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IGC025S08S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IGC025S08S1XTMA1
Beschreibung	GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN
Standardlieferzeit des Herstellers	29 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 23A (Ta), 86A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSON-6-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IGC025S08S1XTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,5mOhm bei 25A, 5V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 2.9V @ 10mA
Serie CoolGaN™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 16 nC @ 5 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±6,5V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1400 pF @ 40 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,3W (Ta), 45W (Tc)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 23A (Ta), 86A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSON-6-2
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 5V	Gehäuse / Hülle 6-PowerTDFN