IGLR60R190D1XUMA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

IGLR60R190D1XUMA1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Vom Hersteller empfohlen

Infineon Technologies

Vorrätig: 4 678

Stückpreis : € 3,15000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IGLR60R190D1XUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IGLR60R190D1XUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IGLR60R190D1XUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IGLR60R190D1XUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IGLR60R190D1XUMA1
Beschreibung	GAN HV
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 12,8 A (Tc) 55,5W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSON-8-6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IGLR60R190D1XUMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12,8 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) bei Id	1,6V bei 960µA
Vgs (Max.)	-10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	157 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	55,5W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TSON-8-6
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN