Image of MCC 100 V Dual N and P-Channel MOSFET in DFN3333-D Package
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100 V Dual N- and P-Channel MOSFET in DFN3333-D Package Datum der Veröffentlichung: 2026-04-24

The Micro Commercial Co 100 V dual N- and P-Channel MOSFET in DFN3333-D package are designed for compact power applications.

Image of MCC SICWT40120G6M 1200 V Silicon Carbide Schottky Diode
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SICWT40120G6M 1200 V Silicon Carbide Schottky Diode Datum der Veröffentlichung: 2026-04-23

The MCC SICWT40120G6M SiC Schottky diode is optimized for demanding power systems requiring reliable operation under extreme conditions.

Image of MCC MCACLS1D6N06YH-TP Dual N-Channel MOSFET in PDFN5060-DSC-B Package
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Zweifach-N-Kanal-MOSFET MCACLS1D6N06YH-TP in einem PDFN5060-DSC-B-Gehäuse Datum der Veröffentlichung: 2026-04-15

Die Doppel-N-Kanal-MOSFETs MCACLS1D6N06YH-TP von MCC sind für hocheffiziente Leistungsschaltungen und kompakte Leistungsstufen ausgelegt.

Image of MCC 100 V N-Channel MOSFET in DFN3333-8(SWF) Package
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100-V-N-Kanal-MOSFET in einem DFN3333-8(SWF)-Gehäuse Datum der Veröffentlichung: 2026-04-15

100-V-N-Kanal-MOSFETs sind mit der Split-Gate-Trench-MOSFET-Technologie ausgestattet, optimiert für geringe Schaltverluste und höhere Wirkungsgrade.

Image of MCC MCACL190N06Y-TP 60V N-Channel MOSFETs
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60-V-N-Kanal-MOSFET MCACL190N06Y-TP im DFN5060-C-Gehäuse Datum der Veröffentlichung: 2026-04-13

Der MCACL190N06Y-TP von MCC ist ein leistungsstarker 60-V-N-Kanal-MOSFET im kompakten DFN5060-C-Gehäuse.

Image of Micro Commercial Components MCTLD58N04Y-TP 40 V N-Channel MOSFET
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40-V-N-Kanal-MOSFET MCTLD58N04Y-TP Datum der Veröffentlichung: 2026-04-09

Der 40-V-N-Kanal-MOSFET MCTLD58N04Y-TP von MCC zeichnet sich durch eine hohe Avalanche-Festigkeit aus, die einen starken Schutz vor induktivem Rückschlag und hohe Systemzuverlässigkeit gewährleistet.

Image of Micro Commercial Components MCAC Power MOSFET Series
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Leistungs-MOSFET der Serie MCAC Datum der Veröffentlichung: 2026-04-09

Die Leistungs-MOSFET der Serie MCAC von Micro Commercial Components sind mit Drain-Source-Spannungsklassen von 40 V und 100 V erhältlich, um verschiedene Leistungsarchitekturen zu unterstützen.

Image of MCC MIW40NxxAH2Y 650 V/1200 V Trench Field-Stop Power IGBTs in TO-247AB Packages
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650-V/1200-V-Trench-Field-Stop-Leistungs-IGBTs MIW40NxxAH2Y in TO-247AB-Gehäusen Datum der Veröffentlichung: 2026-04-08

Die IGBTs MIW40NxxAH2Y von Micro Commercial Components sind ideal für Hochspannungsschaltungen, thermische Stabilität und elektrische Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Stromversorgungssystemen.

Image of MCC MCACD8D5N06YL-TP Dual N-Channel MOSFET Arrays
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Doppel-N-Kanal-MOSFET-Array MCACD8D5N06YL-TP im PDFN5060-8D-Gehäuse Datum der Veröffentlichung: 2026-04-08

Das hocheffiziente Doppel-N-Kanal-MOSFET-Array MCACD8D5N06YL-TP von MCC mit 60 V und 50 A ist in einem kompakten PDFN5060-8D-Gehäuse für die Oberflächenmontage untergebracht.

Image of MCC SICB2065XG5MQ-TP/SICB2065XG5M-TP SiC Schottky Diode Series
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SiC-Schottky-Diodenserie SICB2065XG5MQ-TP/SICB2065XG5M-TP Datum der Veröffentlichung: 2026-04-08

SiC-Schottky-Dioden SICB2065XG5MQ-TP/SICB2065XG5M-TP von MCC bieten eine hervorragende Schalteffizienz, eine vernachlässigbare Umkehrerholung und thermische Stabilität.

Image of MCC DPAK and D2PAK Automotive-Grade Schottky Power Rectifier Series
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Schottky-Leistungsgleichrichter im DPAK und D2PAK für die Automobilindustrie Datum der Veröffentlichung: 2026-04-07

Das kompakte DPAK- und das äußerst wärmeleitfähige D2PAK-Gehäuse von MCC sind für hochdichte Designs optimiert, die eine große Leistungsbelastbarkeit und eine effiziente Wärmeableitung erfordern.

Image of MCC MCMWF090N06LKHE3-TP AEC-Q101 Qualified 60 V N-Ch MOSFET in DFN2020-6SWF Package
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AEC-Q101-zugelassener 60-V-N-Kanal-MOSFET MCMWF090N06LKHE3-TP im DFN2020-6SWF-Gehäuse Datum der Veröffentlichung: 2026-04-07

Der N-Kanal-MOSFET MCMWF090N06LKHE3-TP von Micro Commercial Components mit 90 mΩ und 8,1 A eignet sich ideal für Kfz-Anwendungen mit geringer bis mittlerer Leistung.

Image of MCC SiC Schottky Diode Series 1200 V Automotive-Grade SiC Rectifiers in Various Package Sizes
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Automobiltaugliche 1200-V-SiC-Schottky-Dioden-Gleichrichter in verschiedenen Gehäusegrößen Datum der Veröffentlichung: 2026-04-07

Die AEC-Q101-konformen 1200-V-SiC-Schottky-Sperrschichtdioden von Micro Commercial Components bieten extrem niedrige Schaltverluste und Leistungswandlung bei hohen Temperaturen.

Image of MCC SiC Schottky Diode Series High Voltage SiC Rectifiers in Various Package Sizes
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Hochspannungs-SiC-Gleichrichter der SiC-Schottky-Diodenserie in verschiedenen Gehäusegrößen Datum der Veröffentlichung: 2026-04-07

SiC-Schottky-Diodenserie von Micro Commercial Components für Hochspannungsgleichrichtung, niedrige Rückspeiseverluste und hohe thermische Performance bei der Leistungsumwandlung.

Understanding TVS Diodes

Understand the difference between 8/20 and 10/1000 current waveform pulses.

Image of MCC Zener Diodes Zenerdioden Datum der Veröffentlichung: 2026-02-19

MCC bietet eine breite Palette von Zenerdioden an, die für die unterschiedlichsten Anwendungsanforderungen entwickelt wurden.

Image of MCC SMHE Series 150 W AEC-Q101 Qualified TVS Diodes
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AEC-Q101-konforme 150-W-TVS-Dioden der Serie SMHE Datum der Veröffentlichung: 2026-02-02

Die TVS-Dioden der Serie SMHE von MCC mit Arbeitsspannungen von 5 V bis 90 V im SOD-323HE-B-Gehäuse schützen empfindliche Elektronik vor induzierten Überspannungen.

Image of Micro Commercial Components (MCC) GBJ Series Bridge Rectifiers Brückengleichrichter der Serie GBJ Datum der Veröffentlichung: 2026-01-29

Die 600-V- und 800-V-Brückengleichrichter der Serie GBJ von Micro Commercial Components (MCC) mit einem geringen Durchlassspannungsabfall sind in einem GBJ-Gehäuse untergebracht und mit Nennströmen 15 A, 25 A und 35 A erhältlich.

Image of MCC (Micro Commercial Components) MCAC4D4N04YL-TP 40 V N-Channel MOSFET in DFN5060 Package
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40-V-N-Kanal MOSFET MCAC4D4N04YL-TP im DFN5060-Gehäuse Datum der Veröffentlichung: 2026-01-28

Der MCAC4D4N04YL-TP von Micro Commercial Components ist ein hochleistungsfähiger N-Kanal-MOSFET im DFN5060-Miniaturgehäuse, der für platzbeschränkte Anwendungen entwickelt wurde.

Image of MCC MCTL011N20YH-TP 200 V N-Channel MOSFET
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200-V-N-Kanal-MOSFET MCTL011N20YH-TP Datum der Veröffentlichung: 2026-01-28

Der 200-V-N-Kanal-MOSFET MCTL011N20YH-TP von Micro Commercial Components bietet eine hohe Strombelastbarkeit und überlegene thermische Eigenschaften in einem TOLL-8L-Gehäuse.