Automobiltaugliche 1200-V-SiC-Schottky-Dioden-Gleichrichter in verschiedenen Gehäusegrößen

AEC-Q101-konforme 1200-V-SiC-Schottky-Sperrschichtdioden von Micro Commercial Components bieten extrem niedrige Schaltverluste und Leistungswandlung bei hohen Temperaturen

Bild der 1200-V-SiC-Schottky-Dioden-Gleichrichter von MCC für die Automobilindustrie in DPAK- und TO-220AC-GehäusenDie 1200-V-Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Diodenserie der 4. Generation von Micro Commercial Components ist eine Familie von für die Automobiltechnik zugelassenen SiC-Schottky-Sperrschicht-Dioden, die sich durch überragenden Wirkungsgrad, vernachlässigbare Umkehrerholung und stabile Hochtemperaturperformance für anspruchsvolle Leistungssysteme auszeichnen. Diese Serie ist in DPAK- und TO-220AC-Gehäusen erhältlich und eignet sich sowohl für kompakte oberflächenmontierte Designs als auch für leistungsstarke Anwendungen mit Durchkontaktierung, die eine starke Wärmeableitung und elektrische Robustheit erfordern.

Durch den Einsatz der fortschrittlichen JBS-Technologie (Junction Barrier Schottky) kombinieren diese Bauelemente die schnellen Schalteigenschaften von Schottky-Dioden mit einer verbesserten Leckstromkontrolle und Robustheit gegenüber Überspannungen. Die Serie bietet eine Durchlassspannung von nur 1,38 V, einen Leckstrom von nur 0,1 µA, eine kapazitive Ladung von nur 10,2 nC und einen Betrieb bis zu einer Sperrschichttemperatur von +175 °C. Damit können Entwickler die Schaltverluste reduzieren, den Wirkungsgrad erhöhen und die Leistungsdichte in Leistungsfaktorkorrektur-Stufen, industriellen Stromversorgungen, Solarwechselrichtern, EV-Ladesystemen und Motorantrieben verbessern.

Merkmale/Funktionen
  • Der Null-Sperrverzögerungsstrom eliminiert Rückspeiseverluste und ermöglicht einen höheren Wirkungsgrad
  • AEC-Q101-konform, garantiert Zuverlässigkeit für Anwendungen in der Automobilindustrie und in rauen Umgebungen
  • 1200 VRRM Nennleistung, unterstützt Hochspannungsgleichrichtung und Leistungswandlungsarchitekturen
  • Vorwärtsspannung von nur 1,38 V, wodurch Leitungsverluste und thermische Belastung minimiert werden
  • Extrem niedriger Leckstrom (bis hinab zu 0,1 µA) für verbesserte Hochtemperaturstabilität
  • Hohe Überspannungsfestigkeit bis zu 85 A, unterstützt anspruchsvolle Lasttransienten
  • Kapazitive Ladung von nur 10,2 nC zur Verringerung der Schaltenergieverluste in schnell schaltenden Schaltungen
  • Sperrschichttemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C, ermöglicht die Entwicklung von Hochtemperatursystemen
  • Positiver Temperaturkoeffizient, der ein thermisches Durchgehen verhindert
  • RoHS- und halogenfrei, konform mit globalen Umweltstandards
Anwendungen/Zielmärkte
  • Schaltnetzteile (SMPS)
  • Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
  • Solarwechselrichter
  • Industrielle Stromversorgungssysteme
  • Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge
  • Motorantriebe und Traktionssysteme

SiC Schottky Diode Series 1200 V Automotive-Grade SiC Rectifiers in Various Package Sizes

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungStrom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)Verfügbare MengePreisDetails anzeigen
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Veröffentlicht: 2026-04-07