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60-V-N-Kanal-MOSFET MCACL190N06Y-TP im DFN5060-C-Gehäuse
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von MCC mit 60 V, 2 mΩ und 190 A ist in einem kompakten Gehäuse (5 mm x 6 mm) für hocheffizientes Schalten erhältlich
Der leistungsstarke 60-V-N-Kanal-MOSFET MCACL190N06Y-TP von Micro Commercial Components (MCC) wird in einem kompakten DFN5060-C-Gehäuse angeboten. Dank der Clip-Technologie verfügt dieses Bauelement über einen extrem niedrigen statischen Drain-Source-Durchlasswiderstand von ca. 2 mΩ und eine hohe Dauerstrombelastbarkeit von 190 A, was es ideal für hocheffiziente Leistungsschaltanwendungen macht. Der MOSFET MCACL190N06Y-TP bietet Entwicklern eine zuverlässige, thermisch leistungsfähige Lösung für die nächste Generation von Stromversorgungssystemen in Industrie-, Verbraucher- und Automobilschaltungen.
Merkmale/Funktionen
- Sehr niedriger RDS(on) von ca. max. 2 mΩ bei VGS = 10 V, was Leitungsverluste minimiert und die Effizienz bei Hochstromdesigns verbessert
- Optimierte Split-Gate-Trench-MOSFET-Technologie für niedrige Schaltverluste und höhere Wirkungsgrade
- 60 V Drain-Source-Spannung (VDS), geeignet für Stromversorgungssysteme und Schalttopologien mit mittlerer Spannung
- Hohe Dauer-Drain-Strombelastbarkeit (190 A) für anspruchsvolle Leistungsstufen
- Das DFN5060-C-Gehäuse bietet eine kompakte Grundfläche mit effizienter Wärmeübertragung für dichte Platinenlayouts
- RoHS-konform und halogenfrei gemäß Anforderungen globaler Umweltstandards und Initiativen für umweltfreundliche Fertigung
Anwendungen
- DC/DC-Wandler
- Lastschalter- und Energiemanagement-Anwendungen
- Motorsteuerungen
- Telekommunikations- und Industriestromversorgungen
- Batteriebetriebene Systeme
Veröffentlicht: 2026-04-13
