SiC-Schottky-Diodenserie SICB2065XG5MQ-TP/SICB2065XG5M-TP

Die Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Diodenserie der 5. Generation von Micro Commercial Components (MCC) ist eine Familie von Hochstrom-SiC-Schottky-Sperrschichtdioden für 650 V, die eine hervorragende Schalteffizienz, eine vernachlässigbare Umkehrerholung und eine ausgezeichnete thermische Stabilität für anspruchsvolle Leistungsanwendungen bieten. Diese im branchenüblichen D2PAK-Gehäuse untergebrachten Komponenten sind für Designs mit hoher Dichte und hoher Leistung optimiert, die eine zuverlässige Wärmeableitung und robuste elektrische Leistung erfordern. Diese Serie nutzt eine fortschrittliche SiC-Technologie [merged pin Schottky (MPS)] und bietet einen niedrigen Vorwärtsspannungsabfall (1,3 V), ein Rückwärtserholungsverhalten von nahezu Null und einen stabilen Betrieb bei hohen Temperaturen (bis zu +175 °C). Dadurch können Entwickler die Systemeffizienz erhöhen, Schaltverluste reduzieren und die Leistungsdichte in Leistungsfaktorkorrektur-Stufen, industriellen Stromversorgungen, Ökostromsystemen und Hochstrom-Gleichrichterschaltungen verbessern.

Merkmale/Funktionen

• Entwickelt auf der Grundlage der neuesten MPS-Technologie
• Rückspeisestrom von nahezu Null (Q_c = 136 nC), wodurch Schaltverluste reduziert und die Hochfrequenzeffizienz verbessert werden
• Hohe Strombelastbarkeit (I_F  = 86 A) zur Unterstützung anspruchsvoller Leistungsumwandlungsstufen
• 650 V_RRM Nennspannung, geeignet für Hochspannungsblock- und gleichrichtungsanwendungen
• Schnelle Schalteigenschaften, die EMI reduzieren und die Systemleistung verbessern
• D2PAK-Gehäuse, das eine hohe Wärmeableitung und mechanische Zuverlässigkeit bietet
• Positiver Temperaturkoeffizient zum Schutz gegen thermisches Durchgehen unter Hochleistungsbedingungen
• RoHS-konform und halogenfrei gemäß globalen Umweltstandards und Initiativen für umweltfreundliche Fertigung