Name: SISS5623DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.712 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SISS5623DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SISS5623DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SISS5623DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SISS5623DN-T1-GE3
Beschreibung	P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 10,5A (Ta), 36,3A (Tc) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8S
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SISS5623DN-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,6V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 33 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1575 pF @ 30 V
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 10,5A (Ta), 36,3A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8S
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8S
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 24mOhm bei 10A, 10V	Basis-Produktnummer SISS5623