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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHP24N65EF-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHP24N65EF-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHP24N65EF-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 28 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIHP24N65EF-GE3 Modelle |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 122 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±20V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2656 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 250W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 156mOhm bei 12A, 10V | Basis-Produktnummer |
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Ersatzartikel (9)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | € 4,74000 | Ähnlich |
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| IPP65R190CFDXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP65R190CFDXKSA1-ND | € 0,00000 | Ähnlich |
| IPP65R190E6XKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 56 890 | 2156-IPP65R190E6XKSA1-ND | € 1,81879 | Ähnlich |
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Dieses Produkt ist bei DigiKey nicht vorrätig. Die angegebene Lieferzeit gilt für die Lieferung des Herstellers an DigiKey. Nach Erhalt des Produkts wird DigiKey die offenen Bestellungen erfüllen.
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 000 | € 2,23099 | € 2.230,99 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 2,23099 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 2,67719 |
