N-Kanal 650 V 20,6 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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FCP190N65F

DigiKey-Teilenr.
FCP190N65F-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FCP190N65F
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 20,6 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 2mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
78 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3225 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
190mOhm bei 10A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 569
Bestand des Herstellers: 32 800
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 4,74000€ 4,74
50€ 2,48860€ 124,43
100€ 2,27090€ 227,09
500€ 1,88946€ 944,73
1 000€ 1,80339€ 1.803,39
Standardverpackung des Herstellers
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