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IPP65R190E6XKSA1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPP65R190E6XKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPP65R190E6XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP65R190E6XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPP65R190E6XKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 730µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 73 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1620 pF @ 100 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 151W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 190mOhm bei 7,3A, 10V |
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Ersatzartikel (9)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP65R190C7FKSA1 | Infineon Technologies | 1 | 448-IPP65R190C7FKSA1-ND | € 3,09000 | Vom Hersteller empfohlen |
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