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SIHP21N65EF-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHP21N65EF-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHP21N65EF-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 28 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 21 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 106 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±20V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2322 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 208W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 180mOhm bei 11A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | € 4,74000 | Ähnlich |
| FCP190N65S3R0 | onsemi | 316 | 488-FCP190N65S3R0-ND | € 2,37000 | Ähnlich |
| IPP60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | 2 000 | IPP60R170CFD7XKSA1-ND | € 2,97000 | Ähnlich |
| IPP65R190E6XKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 56 890 | 2156-IPP65R190E6XKSA1-ND | € 1,81879 | Ähnlich |
| IXFP24N60X | IXYS | 0 | IXFP24N60X-ND | € 2,62577 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 5,02000 | € 5,02 |
| 10 | € 3,35000 | € 33,50 |
| 100 | € 2,40200 | € 240,20 |
| 500 | € 1,99756 | € 998,78 |
| 1 000 | € 1,86775 | € 1.867,75 |
| 2 000 | € 1,77842 | € 3.556,84 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 5,02000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 6,02400 |







