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SI9945BDY-T1-GE3 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SI9945BDY-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SI9945BDY-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI9945BDY-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI9945BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SI9945BDY-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 60V 5,3A 3,1W Oberflächenmontage 8-SOIC |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 58mOhm bei 4,3A, 10V |
Hersteller Vishay Siliconix | Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA |
Serie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 20nC bei 10V |
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 665pF bei 15V |
Status der Komponente Obsolet | Leistung - Max. 3,1W |
Technologie MOSFET (Metalloxid) | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach) | Montagetyp Oberflächenmontage |
FET-Merkmal Logikpegel-Gate | Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V | Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOIC |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,3A | Basis-Produktnummer |
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Ersatzartikel (11)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
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Obsolet
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