Name: RF4E110GNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4E110GNTRTR-ND
Price: 0.888 EUR
Availability: InStock

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RF4E110GNTR
DigiKey-Teilenr.	RF4E110GNTRTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RF4E110GNTRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RF4E110GNTRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RF4E110GNTR
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 11 A (Ta) 2W (Ta) Oberflächenmontage HUML2020L8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RF4E110GNTR Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 7.4 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 504 pF @ 15 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 2W (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 11 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten HUML2020L8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerUDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11,3mOhm bei 11A, 10V	Basis-Produktnummer RF4E110

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