Name: RGW80TS65GC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RGW80TS65GC11-ND
Price: 6.396 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RGW80TS65GC11
DigiKey-Teilenr.	RGW80TS65GC11-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RGW80TS65GC11
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 650V 78A TO-247N
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 650 V 78 A 214 W Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	78 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	160 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	1,9V bei 15V, 40A
Leistung - Max.	214 W
Schaltenergie	760µJ (Ein), 720µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	110 nC
Td (on/off) bei 25°C	44ns/143ns
Testbedingung	400V, 40A, 10Ohm, 15V
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247N
Basis-Produktnummer	RGW80

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
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30	€ 3,03000	€ 90,90
120	€ 2,52392	€ 302,87
510	€ 2,15288	€ 1.097,97
1 020	€ 2,09663	€ 2.138,56

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