Name: TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ30S06M3L(T6L1NQTR-ND
Price: 2.484 EUR
Availability: InStock

P-Kanal 60 V 30 A (Ta) 68W (Tc) Oberflächenmontage DPAK+

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TJ30S06M3L(T6L1,NQ
DigiKey-Teilenr.	264-TJ30S06M3L(T6L1NQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TJ30S06M3L(T6L1NQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TJ30S06M3L(T6L1NQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 30 A (Ta) 68W (Tc) Oberflächenmontage DPAK+
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TJ30S06M3L(T6L1,NQ Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 1mA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 80 nC @ 10 V
Serie U-MOSVI	Vgs (Max.) +10V, -20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3950 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 68W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten DPAK+
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 30 A (Ta)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer TJ30S06
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 21,8mOhm bei 15A, 10V