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STP80N10F7 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
STP80N10F7 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-14834-5-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STP80N10F7 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 80A TO220 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 100 V 80 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STP80N10F7 Modelle |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 45 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3100 pF @ 50 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 110W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 10mOhm bei 40A, 10V |
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Ersatzartikel (8)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| STP100N10F7 | STMicroelectronics | 1 185 | 497-13550-5-ND | € 2,47000 | Vom Hersteller empfohlen |
| CSD19503KCS | Texas Instruments | 520 | 296-37481-5-ND | € 2,53000 | Ähnlich |
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| IRF100B202 | Infineon Technologies | 1 429 | IRF100B202-ND | € 3,11000 | Ähnlich |
| IRFB4410PBF | Infineon Technologies | 1 615 | IRFB4410PBF-ND | € 2,90000 | Ähnlich |
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