N-Kanal 80 V 100 A (Ta) 188W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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CSD19503KCS

DigiKey-Teilenr.
296-37481-5-ND
Hersteller
Texas Instruments
Hersteller-Teilenummer
CSD19503KCS
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
6 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 80 V 100 A (Ta) 188W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Texas Instruments
Serie
NexFET™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
100 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
9,2mOhm bei 60A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2730 pF @ 40 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
188W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
CSD19503
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