Name: IRF100B202
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF100B202-ND
Price: 3.732 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 100 V 97 A (Tc) 221W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF100B202
DigiKey-Teilenr.	IRF100B202-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF100B202
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 97 A (Tc) 221W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF100B202 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 150µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 116 nC @ 10 V
Serie HEXFET®, StrongIRFET™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4476 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 221W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 97 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IRF100
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8,6mOhm bei 58A, 10V

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 3,11000	€ 3,11
10	€ 2,01500	€ 20,15
100	€ 1,38970	€ 138,97
500	€ 1,12240	€ 561,20
1 000	€ 1,03652	€ 1.036,52
2 000	€ 0,96434	€ 1.928,68
5 000	€ 0,88627	€ 4.431,35
10 000	€ 0,83807	€ 8.380,70

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