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MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 95 A (Tc) 246W (Tc) Chassisbefestigung
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GCMX016B120B3H1P

DigiKey-Teilenr.
1560-GCMX016B120B3H1P-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
GCMX016B120B3H1P
Beschreibung
GEN3 1200V 16M SIC FULL BRIDGE M
Standardlieferzeit des Herstellers
6 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 95 A (Tc) 246W (Tc) Chassisbefestigung
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
23mOhm bei 50A, 18V
Hersteller
SemiQ
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 120mA
Serie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
258nC bei 18V
Verpackung
Box
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
7100pF bei 800V
Status der Komponente
Aktiv
Leistung - Max.
246W (Tc)
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Konfiguration
4 N-Kanal (Vollbrücke)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Gehäuse / Hülle
Modul
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
95 A (Tc)
Umwelt- und Exportklassifikationen
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