Name: IMSQ120R012M2HHXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMSQ120R012M2HHXUMA1TR-ND
Price: 44.172 EUR
Availability: InStock

MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 121A (Tc) 758W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-16-221

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IMSQ120R012M2HHXUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMSQ120R012M2HHXUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMSQ120R012M2HHXUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMSQ120R012M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMSQ120R012M2HHXUMA1
Beschreibung	SICFET 2N-CH 1200V 121A HDSOP16
Standardlieferzeit des Herstellers	39 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 121A (Tc) 758W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-16-221
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 12mOhm bei 57A, 18V
Hersteller Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 5,1V bei 17,8mA
Serie CoolSiC™ G2	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 109nC bei 0V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4050pF bei 800V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 758W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Kanal (Halbbrücke)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1,2kV)	Gehäuse / Hülle 24-BSOP (0,606", 15,40mm Breite), 16 Anschlüsse, freiliegende Kontaktfläche
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 121A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HDSOP-16-221